參數(shù)資料
型號(hào)： MG150J2YS50
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述： 硅N通道IGBT的（不適用溝道絕緣柵雙極型晶體管）
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 296K
代理商： MG150J2YS50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG150J7KS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG150Q1JS40 Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
MG150Q2YS51 8-Port Wireless Switch; Approval Categories:UL, EN & IEC: 60950-I; EMC FCC Part 15 Class B, EN 300386; Data Rate Max:54Mbps; External Depth:9.4"; External Height:1.89"; External Width:16.9" RoHS Compliant: Yes
MG150Q2YK1 TRANSISTOR MODULES
MG150Q2YL1 TRANSISTOR MODULES
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參數(shù)描述
MG150J7KS50 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG150J7KS60 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA GTR MODULE SILICON N CHANNEL IGBT
MG150J7KS61 功能描述:IGBT MOD CMPCT 600V 150A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
MG150M2YK1 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
MG150M2YL1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES
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