參數(shù)資料
型號(hào)： MF70-1600
廠商： DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Fast Recovery Diode
中文描述： 70 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5
封裝： DO-5, 1 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 65K
代理商： MF70-1600
MF70
2/8
SURGE RATINGS
Conditions
Max.
Units
10ms half sine; with 100% V
RRM,
T
j
= 125
o
C
700
A
10ms half sine;
T
j
= 125
o
C
2450
A
2
s
I
2
t for fusing
I
2
t
Surge (non-repetitive) forward current
I
FSM
Parameter
Symbol
THERMAL AND MECHANICAL DATA
dc
Conditions
Max.
Units
o
C/W
-
0.2
Thermal resistance - case to heatsink
R
th(c-h)
Thermal resistance - junction to case
R
th(j-c)
Mounting torque 3.5Nm
with mounting compound
Symbol
Parameter
-
0.37
o
C/W
Min.
-
125
o
C
C
125
-55
Storage temperature range
T
stg
Forward (conducting)
-
125
o
C
T
vj
Virtual junction temperature
Reverse (blocking)
Nm
3.8
3.2
-
Mounting torque
CHARACTERISTICS
t
rr
10
Symbol
Typ.
Units
Parameter
V
FM
Forward voltage
I
RM
Peak reverse current
Reverse recovery time
-
300
ns
At V
RRM
, T
case
= 100
o
C
-
mA
At 210A peak, T
case
= 25
o
C
-
2.0
V
Conditions
Max.
I
F
= 1A, di
RR
/dt = 25A/
μ
s
T
case
= 25
o
C, V
R
= 100V
Q
r
Recovered charge
t
rr
Reverse recovery time
V
TO
Threshold voltage
r
T
Slope resistance
V
FRM
Forward recovery voltage
di/dt = 1000A/
μ
s, T
j
= 125
o
C
80
-
V
At T
vj
= 125
o
C
-
3.34
m
At T
vj
= 125
o
C
-
1.3
V
-
915
ns
-
26
μ
C
I
F
= 100A, di
RR
/dt = 100A/
μ
s
T
case
= 25
o
C, V
R
= 100V
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