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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MDS1100 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | a high power COMMON BASE bipolar transistor. |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | 55TU-1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 129K |
| 代理商： | MDS1100 |
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Gain vs. Output Power
8.2
8.4
8.6
8.8
9
9.2
9.4
9.6
0
200
400
600
800
1000
1200
Pout (W)
G
Efficiency vs. Output Power
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
200
400
600
800
1000
1200
Pout (W)
E
R (ohms)
jX (ohms)
Zin
1.75
+j2.37
Zcl
0.60
-j1.62
Frequency = 1030 MHz, Vcc = 50V, Pin = 130W
Zin
Zcl
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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