型號: | MDI100-12A3 |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | IGBT Modules |
中文描述: | 135 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大?。?/td> | 118K |
代理商: | MDI100-12A3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MDI300-12A4 | IGBT Modules |
MDL2416C | 15 RED, 4-DIGIT, 16 SEGMENT PLUS DECIMAL HI-REL/MILITARY ALPHANUMERIC INTELLIGENT DISPLAY WITH MEMORY/DECODER/DRIVER |
MDLM111-X | VOLTAGE COMPARATOR |
MDLM117-H | POSITIVE THREE TERMINAL ADJUSTABLE VOLTAGE REGULATOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MDI150-12A4 | 功能描述:IGBT 模塊 150 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
MDI200-12A4 | 功能描述:IGBT 模塊 200 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
MDI22511000016K | 制造商: 功能描述: 制造商:CALIFORNIA INST 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
MDI300-12A4 | 功能描述:IGBT 模塊 300 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |