| 型號: | MDD810-12N1 |
| 廠商: | WESTCODE SEMICONDUCTORS LTD |
| 元件分類: | 參考電壓二極管 |
| 英文描述: | 1342 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 332K |
| 代理商: | MDD810-12N1 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MQSMBG5333CTR | 3.3 V, 1.38 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
| MQSMBG5334ATR | 3.6 V, 1.38 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
| MQSMBG5334A | 3.6 V, 1.38 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
| MQSMBG5334CTR | 3.6 V, 1.38 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
| MQSMBG5335A | 3.9 V, 1.38 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MDD810-16N2 | 功能描述:SCR模塊 Dual Diode Modules RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| MDD95 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Diode Modules |
| MDD950-12N1W | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 950 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MDD950-14N1W | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 950 Amps 1400V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MDD950-16N1W | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 950 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |