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參數(shù)資料
| 型號： | MCR12LN |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Silicon Controlled Rectifiers(可控硅整流管) |
| 中文描述： | 12 A, 800 V, SCR, TO-220AB |
| 封裝： | CASE 221A-09, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | MCR12LN |
MCR12LD, MCR12LM, MCR12LN
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance,
JunctiontoCase
JunctiontoAmbient
R
JC
R
JA
2.2
62.5
°
C/W
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8
″
from Case for 10 Seconds
T
L
260
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Peak Repetitive Forward or Reverse Blocking Current
(V
D
= Rated V
DRM
and V
RRM
; Gate Open)
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
I
DRM
,
I
RRM
0.01
2.0
mA
ON CHARACTERISTICS
Peak Forward OnState Voltage (Note 2)
(I
TM
= 24 A)
V
TM
2.2
V
Gate Trigger Current (Continuous dc)
(V
D
= 12 V, R
L
= 100 )
I
GT
2.0
4.0
8.0
mA
Holding Current
(V
D
= 12 V, Gate Open, Initiating Current = 200 mA)
I
H
4.0
10
20
mA
Latch Current (V
D
= 12 V, Ig = 20 mA)
I
L
6.0
12
30
mA
Gate Trigger Voltage (Continuous dc)
(V
D
= 12 V, R
L
= 100 )
V
GT
0.5
0.65
0.8
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Critical Rate of Rise of OffState Voltage
(V
D
= Rated V
DRM
, Exponential Waveform, Gate Open, T
J
= 125
°
C)
dv/dt
100
250
V/ s
Critical Rate of Rise of OnState Current
IPK = 50 A; Pw = 40 sec; diG/dt = 1 A/ sec, Igt = 50 mA
di/dt
50
A/ s
2. Indicates Pulse Test: Pulse Width
1.0 ms, Duty Cycle
2%.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MCR12 | Silicon Controlled Rectifiers( 可控硅整流器) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MCR12LNG | 功能描述:SCR 800V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| MCR12M | 功能描述:SCR 600V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| MCR12MG | 功能描述:SCR 600V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| MCR12N | 功能描述:SCR 800V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| MCR12NG | 功能描述:SCR 800V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
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