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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MCP602T-I/SN |
| 廠商： | Microchip Technology |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/34頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC OPAMP DUAL SNGL SUPPLY 8SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 3,300 |
| 放大器類型： | 通用 |
| 電路數(shù)： | 2 |
| 輸出類型： | 滿擺幅 |
| 轉(zhuǎn)換速率： | 2.3 V/µs |
| 增益帶寬積： | 2.8MHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 1pA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 700µV |
| 電流 - 電源： | 230µA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 22mA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 2.7 V ~ 6 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOICN |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
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2007 Microchip Technology Inc.
DS21314G-page 3
MCP601/1R/2/3/4
AC CHARACTERISTICS
MCP603 CHIP SELECT (CS) CHARACTERISTICS
FIGURE 1-1:
MCP603 Chip Select (CS)
Timing Diagram.
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, T
A = +25°C, VDD = +2.7V to +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,
VOUT ≈ VDD/2, VL = VDD/2, and RL = 100 kΩ to VL, CL = 50 pF, and CS is tied low. (Refer to Figure 1-2 and Figure 1-3).
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Frequency Response
Gain Bandwidth Product
GBWP
—
2.8
—
MHz
Phase Margin
PM
—
50
—
°
G = +1 V/V
Step Response
Slew Rate
SR
—
2.3
—
V/s
G = +1 V/V
Settling Time (0.01%)
tsettle
—
4.5
—
s
G = +1 V/V, 3.8V step
Input Noise Voltage
Eni
—7
—
VP-P
f = 0.1 Hz to 10 Hz
Input Noise Voltage Density
eni
—29
—
nV/
√Hz f = 1 kHz
eni
—21
—
nV/
√Hz f = 10 kHz
Input Noise Current Density
ini
—0.6
—
fA/
√Hz f = 1 kHz
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, T
A = +25°C, VDD = +2.7V to +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,
VOUT ≈ VDD/2, VL = VDD/2, and RL = 100 kΩ to VL, CL = 50 pF, and CS is tied low. (Refer to Figure 1-2 and Figure 1-3).
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
CS Low Specifications
CS Logic Threshold, Low
VIL
VSS
—
0.2 VDD
V
CS Input Current, Low
ICSL
-1.0
—
A
CS = 0.2VDD
CS High Specifications
CS Logic Threshold, High
VIH
0.8 VDD
—VDD
V
CS Input Current, High
ICSH
—0.7
2.0
A
CS = VDD
Shutdown VSS current
IQ_SHDN
-2.0
-0.7
—
A
CS = VDD
Amplifier Output Leakage in Shutdown
IO_SHDN
—1
—
nA
Timing
CS Low to Amplifier Output Turn-on Time
tON
—3.1
10
s
CS
≤ 0.2V
DD, G = +1 V/V
CS High to Amplifier Output High-Z Time
tOFF
—100
—
ns
CS
≥ 0.8V
DD, G = +1 V/V, No load.
Hysteresis
VHYST
—0.4
—
V
VDD = 5.0V
CS
tOFF
VOUT
tON
Hi-Z
IDD
2nA
230 A
Output Active
ISS
-700 nA
-230 A
CS
700 nA
2nA
Current
(typical)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MU14-8FLK | CONN L/FORK UNINSUL 16-14 AWG #8 |
| LT1795ISW#TRPBF | IC AMP CURR FEEDBACK DUAL 20SOIC |
| RMCF1206FT1M00 | RES 1M OHM 1/4W 1% 1206 SMD |
| MU18-4FLK | CONN L/FORK UNINSUL 22-18 AWG #4 |
| 77313-118-46LF | BERGSTIK |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MCP602T-IST | 制造商:MICROCHIP 制造商全稱:Microchip Technology 功能描述:2.7V to 6.0V Single Supply CMOS Op Amps |
| MCP603 | 制造商:MICROCHIP 制造商全稱:Microchip Technology 功能描述:2.7V to 5.5V Single Supply CMOS Op Amps |
| MCP6031 | 制造商:MICROCHIP 制造商全稱:Microchip Technology 功能描述:0.9 uA, High Precision Op Amps |
| MCP6031_08 | 制造商:MICROCHIP 制造商全稱:Microchip Technology 功能描述:0.9 μA, High Precision Op Amps |
| MCP6031DM-PTPLS | 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 MCP6031 Photodiode PICtail Plus DemoBrd RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel |
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