參數(shù)資料
型號： MCP1650SEUN
廠商： Microchip Technology Inc.
英文描述： MCP1650
中文描述： MCP1650
文件頁數(shù)： 18/28頁
文件大?。?/td> 604K
代理商： MCP1650SEUN
MCP1650/51/52/53
DS21876A_CN
第
18
頁
2004 Microchip Technology Inc.
為了確定非連續(xù)工作模式的最大電感值，將每次開關周
期中流入電感的能量乘以每秒的周期數(shù) （開關頻率）。
該值必須比最大輸入功率還大。
下面為流入電感的能量方程。系統(tǒng)輸入功率等于能量乘
以時間。
電感峰值電流通過下面的方程計算：
采用一個
3.3 μH
的典型電感，此電感中的峰值電流計算
如下：
在
3.8V
和
3.8V
以下時，工作在連續(xù)模式的轉換器電壓
能夠升至
14V
。
對于本例，
3.3 μH
的電感顯得太大，選擇一個
2.2 μH
的電感。
由于電感的減小，所有負載輸入中吸收的峰值電流上
升。高升壓比中的電感值最好選為維持非持續(xù)工作時所
需要的最大電感值。
對于低升壓比的應用（
3.3V
至
5.0V
），建議使用
3.3 μH
或更大些的電感。處在這些情況時，電感工作在持續(xù)電
流模式。
5.2.2
MOSFET
選擇
升壓設計中選擇合適的
MOSFET
需要考慮幾個關鍵點。
建議使用低
R
DSON
邏輯電平
N
溝道
MOSFET
。
5.2.2.1
MOSFET
選擇過程
1.
額定電壓值——
MOSFET
漏源電壓的最小額定
值為
V
OUT
+
外部升壓二極管的
V
FD
。例如
12V
輸出的轉換器中，
MOSFET
漏源極之間的額定
電壓值為
12V + 0.5V
。一般認為一個
20V
的元件
可用來輸出
12V
的電壓。
邏輯電平
R
DSON
——
MOSFET
在升壓周期期間
負擔很大的電流。此時
MOSFET
中的峰值電流
也變得十分高。在這個例子中，一個
SOT-23
封
裝的
MOSFET
具有以下額定值：
2.
選擇低
R
DSON
的
MOSFET
并不總是更好或者更有效。
低
R
DSON
常常導致很高的門極電荷和輸入電容，從而
延緩
MOSFET
的轉變時間和增加開關損失。
5.2.3
二極管選擇
外部升壓二極管同樣以開關頻率切換導通和關斷，并且
需要很快的導通和關斷時間。大多數(shù)應用中建議采用肖
特基二極管。肖特基二極管的額定電壓值必須為最大升
壓輸出電壓。例如
12V
輸出升壓轉換器中，二極管的額
定電壓應為
12V
加上偏差。對于
12V
輸出應用，建議
采用
20V
或
30V
的肖特基二極管。肖特基二極管同樣
有低正向壓降的特性，這又是一個開關電源應用中所希
望的特性。
F
SW
T
ON
=
=
=
=
=
750 kHz
(
1/F
SW
*
占空比 )
905 mA
1.35 μJ
1.01 W
I
PK
(2.8V)
Energy (2.8V)
Power (2.8V)
I
PK
(3.8V)
=
=
=
860 mA
1.22 μJ
0.914 W
Energy at 3.8V
Power
F
SW
= 750 kHz
T
ON
=
(
1/F
SW
*
占空比 )
I
PK
(2.8V) = 1.36A
Energy (2.8V) = 2.02 μJ
Power (2.8V) = 1.52 W
I
PK
(3.8V) = 1.29A
Energy at 3.8V = 1.83 μJ
Power = 1.4 W
Energy
1
2
--
L
I
PK
2
×
×
=
I
PK
V
L
--------
T
ON
×
=
IRLM2502 N
溝道
MOSFET
V
BDS
= 20V
（漏源擊穿電壓）
R
DSON
= 50 m
（
V
GS
= 2.5V
）
R
DSON
= 35 m
（
V
GS
= 5.0V
）
Q
G
=
所有門極電量
= 8 nC
V
GS
= 0.6V
至
1.2V
（門源閾值電壓）
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