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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MCHC908AB32MPBR2 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 8.4 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| 封裝： | 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-64 |
| 文件頁數(shù)： | 309/408頁 |
| 文件大?。?/td> | 3946K |
| 代理商： | MCHC908AB32MPBR2 |
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Electrical Specifications
EEPROM and Memory Characteristics
MC68HC908AB32 — Rev. 1.0
Technical Data
MOTOROLA
Electrical Specifications
377
23.7 EEPROM and Memory Characteristics
Low-voltage inhibit reset/recover hysteresis – target
HLVI
100
150
—
mV
POR rearm voltage(7)
VPOR
0
—
200
mV
POR reset voltage(8)
VPORRST
0
—
800
mV
POR rise time ramp rate(9)
RPOR
0.02
—
V/ms
Notes:
1. VDD = 5.0 Vdc ± 10%, VSS = 0 Vdc, TA = TL to TH, unless otherwise noted
2. Typical values reflect average measurements at midpoint of voltage range, 25
°C only.
3. Run (operating) IDD measured using external square wave clock source (fBUS = 8.4 MHz). All inputs 0.2 V from rail. No dc
loads. Less than 100 pF on all outputs. CL = 20 pF on OSC2. All ports configured as inputs. OSC2 capacitance linearly
affects run IDD. Measured with all modules enabled.
4. Wait IDD measured using external square wave clock source (fBUS = 8.4 MHz). All inputs 0.2 V from rail. No dc loads. Less
than 100 pF on all outputs. CL = 20 pF on OSC2. All ports configured as inputs. OSC2 capacitance linearly affects wait
IDD. Measured with PLL and LVI enabled.
5. Stop IDD is measured with OSC1 = VSS.
6. Pullups are disabled. Port B leakage is specified in 23.10 ADC Characteristics.
7. Maximum is highest voltage that POR is guaranteed.
8. Maximum is highest voltage that POR is possible.
9. If minimum VDD is not reached before the internal POR reset is released, RST must be driven low externally until minimum
VDD is reached.
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
RAM data retention voltage
VRDR
0.7
—
V
EEPROM programming time per byte
tEEPGM
10
—
ms
EEPROM erasing time per byte
tEBYTE
10
—
ms
EEPROM erasing time per block
tEBLOCK
10
—
ms
EEPROM erasing time per bulk
tEBULK
10
—
ms
EEPROM programming voltage discharge period
tEEFPV
100
—
s
Number of programming operations to the same EEPROM
byte before erase(1)
Notes:
1. Programming a byte more times than the specified maximum may affect the data integrity of that byte. The byte must
be erased before it can be programmed again.
——
8
—
EEPROM write/erase cycles at 10ms write time (85
°C)
—
10,000
—
Cycles
EEPROM data retention after 10,000 write/erase cycles
—
10
—
Years
Characteristic(1)
Symbol
Min
Typ(2)
Max
Unit
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