參數(shù)資料
型號(hào)： MCHC812A4CPV8
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： Microcontrollers
中文描述： 微控制器
文件頁(yè)數(shù)： 232/242頁(yè)
文件大小： 1285K
代理商： MCHC812A4CPV8
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Electrical Characteristics
MC68HC812A4 Data Sheet, Rev. 7
232
Freescale Semiconductor
18.13 Non-Multiplexed Expansion Bus Timing
Num
Characteristic
(1), (2)
1. V
DD
= 5.0 Vdc
±
10%, V
SS
= 0 Vdc, T
= T
L
to T
H
, unless otherwise noted
2. All timings are calculated for normal port drives.
3. This characteristic is affected by clock stretch.
Add N
×
t
cyc
where N = 0, 1, 2, or 3, depending on the number of clock stretches.
4. Equation still under evaluation
Delay
Symbol
8 MHz
Unit
Min
Max
Frequency of operation (E-clock frequency)
—
f
o
dc
8.0
MHz
1
Cycle timet
cyc
=
1
/
f
o
t
cyc
125
—
ns
2
Pulse width, E lowPW
EL
=
t
cyc
/
2
+
delay
2
PW
EL
60
—
ns
3
Pulse width, E high
(3)
PW
EH
=
t
cyc
/
2
+
delay
2
PW
EH
60
—
ns
5
Address delay timet
AD
=
t
cyc
/
4
+
delay
29
t
AD
—
60
ns
6
Address hold time
—
t
AH
20
—
ns
7
Address valid time to E riset
AV
=
PW
EL
t
AD
—
t
AV
0
—
ns
11
Read data setup time
—
t
DSR
30
—
ns
12
Read data hold time
—
t
DHR
0
—
ns
13
Write data delay time
(4)
t
DDW
=
t
cyc
/
4
+
delay
25
t
DDW
—
46
ns
14
Write data hold time
—
t
DHW
20
—
ns
15
Write data setup time
(3)
t
DSW
=
PW
EH
t
DDW
—
t
DSW
30
—
ns
16
Read/write delay timwt
RWD
=
t
cyc
/
4
+
delay
18
t
RWD
—
49
ns
17
Read/write valid time to E riset
RWV
=
PW
EL
t
RWD
—
t
RWV
20
—
ns
18
Read/write hold time
—
t
RWH
20
—
ns
19
Low strobe delay timet
LSD
=
t
cyc
/
4
+
delay
18
t
LSD
—
49
ns
20
Low strobe valid time to E riset
LSV
=
PW
EL
t
LSD
—
t
LSV
11
—
ns
21
Low strobe hold time
—
t
LSH
20
—
ns
22
Address access time
(3)
t
ACCA
=
t
cyc
t
AD
t
DSR
—
t
ACCA
—
35
ns
23
Access time from E rise
(3)
t
ACCE
=
PW
EH
t
DSR
—
t
ACCE
—
30
ns
26
Chip-select delay timet
CSD
=
t
cyc
/
4
+
delay
29
t
CSD
—
60
ns
27
Chip-select access time
(3)
t
ACCS
=
t
cyc
t
CSD
t
DSR
—
t
ACCS
—
65
ns
28
Chip-select hold time
—
t
CSH
0
10
ns
29
Chip-select negated timet
CSN
=
t
cyc
/
4
+
delay
5
t
CSN
36
—
ns
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PDF描述
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