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參數(shù)資料
| 型號： | MCH6601 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 中文描述： | 超高速開關(guān)應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | MCH6601 |
No.6458-2/4
MCH6601
Electrical Connection
Switching Time Test Circuit
Continued from preceding page.
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
0V
--4V
VIN
VIN
P.G
50
G
S
ID=--50mA
RL=300
VDD=--15V
VOUT
D
MCH6601
r
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S2
S1
G1
D2
(Top view)
0
0
--0.01
--0.02
--0.03
--0.04
--0.06
--0.07
--0.08
--0.09
--0.10
--0.4
Drain-to-Source Voltage, V
DS
– V
--0.05
--0.8
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--1.6
--2.0
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--0.6
--1.0
--1.4
--1.8
ID -- VDS
VGS=--1.5V
--3.5V
-.V
--2.0V
-.V
-30V
-25V
0
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--2.0
--2.5
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--4.0
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0
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--0.20
ID -- VGS
VDS=--10V
0
0
--1
--2
Gate-to-Source Voltage, V
GS
– V
--3
5
--4
10
--5
15
20
25
--6
30
--7
--8
--9
IT00079
--10
RDS(on) -- VGS
Ta=25
°
C
--0.01
1.0
--0.1
2
3
5
7
2
3
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
RDS(on) -- ID
VGS=--4V
IT00077
IT00080
IT00078
T-5
°
C
25
°
C
7
°
C
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
ID=--30mA
--50mA
D
D
D
D
Gate-to-Source Voltage, V
GS
– V
S
O
D
S
O
D
Drain Current, I
D
– A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6603 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| MCH6604 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| MCH6617 | P CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR |
| MCH6631 | MOS SILICON TRANSISTOR |
| MCH6702 | DC/DC Converter Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MCH6601_06 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6601_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6601-TL-E | 功能描述:MOSFET PCH+PCH 2.5V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MCH6602 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| MCH6602_07 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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