參數資料
型號： MCF5208CAB166
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： Microprocessor Data Sheet
中文描述： 微處理器數據表
文件頁數： 30/46頁
文件大小： 936K
代理商： MCF5208CAB166
MCF5208 ColdFire
Microprocessor Data Sheet, Rev. 0.5
Preliminary
Preliminary Electrical Characteristics
Freescale Semiconductor
30
Figure 17. SDR Read Timing
5.7.2
DDR SDRAM AC Timing Characteristics
When using the SDRAM controller in DDR mode, the following timing numbers must be followed to
properly latch or drive data onto the memory bus. All timing numbers are relative to the four DQS byte
lanes. The following timing numbers are subject to change at anytime, and are only provided to aid in early
board design. Please contact your local Freescale representative if questions develop.
Table 11. DDR Timing Specifications
Num
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Frequency of Operation
83.33
TBD
Mhz
1
DD1
Clock Period (SD_CLK)
t
DDCK
TBD
12
ns
2
DD2
Pulse Width High
t
DDCKH
0.45
0.55
SD_CLK
3
DD3
Pulse Width Low
t
DDCKL
0.45
0.55
SD_CLK
3
DD4
Address, SD_CKE, SD_CAS, SD_RAS, SD_WE,
SD_CS[1:0] - Output Valid
t
SDCHACV
—
0.5
×
SD_CLK
+ 1.0
ns
4
SD_CLK0
SD_CLK1
SD_CSn,
SD_RAS,
SD_CAS,
SDDM
D[31:0]
form
Memories
A[23:0],
SD_BA[1:0]
SD2
CMD
ROW
SD2
SD1
SD5
COL
WD1
WD2
WD3
WD4
SD10
3/4 MCLK
Reference
SD_DQS
SD_DDQS
Delayed
SD_CLK
SD11
SD8
Board Delay
SD9
Board Delay
SD7
tDQS
(Measured at Output Pin)
(Measured at Input Pin)
SD6
NOTE: Data driven from memories relative
to delayed memory clock.
SD_WE
相關PDF資料
PDF描述
MCF5208CVM166 Microprocessor Data Sheet
MMA6271QT 【2.5g - 10g Two Axis Low-g Micromachined Accelerometer
MMA7261QT 【2.5g - 10g Three Axis Low-g Micromachined Accelerometer
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參數描述
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