參數(shù)資料
型號(hào)： MCC161
廠商： IXYS Corporation
英文描述： High Voltage Thyristor Module
中文描述： 高壓晶閘管模塊
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 92K
代理商： MCC161
2005 IXYS All rights reserved
3 - 3
MCC 161
MCD 161
0
0
25
50
75
100
C
T
A
125
ms
I
FAVM
, I
TAVM
T
A
P
tot
0
100
200
300
400
I
DAVM
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
W
2000
A
P
tot
R
thKA
K/W
0.02
0.04
0.06
0.1
0.15
0.20
0.30
0
50
100 150 200 250
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
W
400
s
0
25
50
75
100
C
125
A
0.001
0.01
0.1
1
0
1000
2000
3000
,
5000
6000
t
T
VJ
= 45°C
T
VJ
= 125°C
1
10
10
4
10
5
10
6
I
2
t
t
A
2
s
T
VJ
= 45°C
T
VJ
= 125°C
T
C
0
25
50
75
°C
125
0
50
100
150
200
250
300
350
A
I
TAVM
,
I
FAVM
180° sin
DC
120° rect
60° rect
30° rect
t
Z
thJC
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.0
0.1
0.2
0.3
K/W
s
DC
180°
120°
60°
30°
A
R
thKA
K/W
0.1
0.2
0.3
0.5
0.8
1.5
2
DC
180° sin
120° rect
60° rect
30° rect
80% V
RRM
50 Hz
I
TSM
I
FSM
Fig. 4: Surge overload current
I
TSM
, I
FSM
= f(t)
Fig. 5: I
2
t versus time per diode
Fig. 6: Max. forward current at case
temperature I
TAVM/FAVM
= f (T
C
,d)
Fig. 7: Power dissipation vs. on-state current and ambient
temperature (per thyristor/diode)
Fig. 8: Power dissipation vs. direct output current and
ambient temperature (three phase rectifier bridge)
Fig. 9: Transient thermal impedance junction to case Z
thjC
at various conduction angles
Constants for Z
thJC
calculation (DC):
i
R
thi
(K/W)
0.012
0.008
0.03
0.073
0.032
t
i
(s)
0.00014
0.019
0.18
0.52
1.6
1
2
3
4
5
R
thJC
for various condition angles:
d
R
thJC
(K/W)
0.155
0.171
0.184
0.222
0.294
DC
_
180°
120°
60°
30°
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MCC21 Thyristor Modules
MCC21-08IO8B Thyristor Modules
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