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參數(shù)資料
| 型號： | MC9S08RC32FJE |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 121/234頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU 32K FLASH 8MHZ 32-LQFP |
| 標準包裝： | 1,250 |
| 系列： | S08 |
| 核心處理器： | S08 |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 連通性： | SCI |
| 外圍設備： | LVD，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 25 |
| 程序存儲器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 振蕩器型： | 內部 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 封裝/外殼： | 32-LQFP |
| 包裝： | 托盤 |
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Electrical Characteristics
MC9S08RC/RD/RE/RG Data Sheet, Rev. 1.11
Freescale Semiconductor
207
A.4
Electrostatic Discharge (ESD) Protection Characteristics
Although damage from static discharge is much less common on these devices than on early CMOS
circuits, normal handling precautions should be used to avoid exposure to static discharge. Qualication
tests are performed to ensure that these devices can withstand exposure to reasonable levels of static
without suffering any permanent damage. All ESD testing is in conformity with CDF-AEC-Q00 Stress
Test Qualication for Automotive Grade Integrated Circuits. (http://www.aecouncil.com/) A device is
considered to have failed if, after exposure to ESD pulses, the device no longer meets the device
specication requirements. Complete dc parametric and functional testing is performed per the applicable
device data sheet at room temperature followed by hot temperature, unless specied otherwise in the
device data sheet.
A.5
DC Characteristics
This section includes information about power supply requirements, I/O pin characteristics, and power
supply current in various operating modes.
Table A-3. ESD Protection Characteristics
Parameter
Symbol
Value
Unit
ESD Target for Machine Model (MM)
MM circuit description
VTHMM
200
V
ESD Target for Human Body Model (HBM)
HBM circuit description
VTHHBM
2000
V
Table A-4. DC Characteristics (Temperature Range = 0 to 70
°C Ambient)
Parameter
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
Low-voltage detection threshold
VLVD
1.82
1.875
1.90
V
Power on reset (POR) voltage
VPOR
0.8
0.9
1.1
V
Maximum low-voltage safe state re-arm(1)
1. If SAFE bit is set, VDD must be above re-arm voltage to allow MCU to accept interrupts, refer to Section 5.6, “Low-Voltage
VREARM
1.90
2.24
2.60
V
Table A-5. DC Characteristics (Temperature Range = –40 to 85
°C Ambient)
Parameter
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
Supply voltage (run, wait and stop modes.)
0 < fBus < 8 MHz
VDD
1.8
3.6
V
Minimum RAM retention supply voltage applied to VDD
VRAM
VPOR
(1), (2)
—V
Low-voltage detection threshold
(VDD falling)
(VDD rising)
VLVD
1.82
1.92
1.88
1.96
1.93
2.01
V
Low-voltage warning threshold
(VDD falling)
(VDD rising)
VLVW
2.07
2.16
2.13
2.21
2.18
2.26
V
Power on reset (POR) voltage
VPOR
0.85
1.0
1.2
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MC9S08RC60 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Microcontrollers |
| MC9S08RC60CDWE | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers |
| MC9S08RC60CFDE | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers |
| MC9S08RC60CFG | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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