參數(shù)資料
型號： MC9S08GT60CFB
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 200/290頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 60K FLASH 20MHZ 44-QFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 96
系列： S08
核心處理器： S08
芯體尺寸： 8-位
速度： 40MHz
連通性： I²C，SCI，SPI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 36
程序存儲器容量： 60KB（60K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 4K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 3.6 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 8x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 44-QFP
包裝： 托盤
配用： M68DEMO908GB60E-ND - BOARD DEMO MC9S08GB60
M68EVB908GB60E-ND - BOARD EVAL FOR MC9S08GB60
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FLASH Specications
MC9S08GB/GT Data Sheet, Rev. 2.3
Freescale Semiconductor
279
A.10
FLASH Specications
This section provides details about program/erase times and program-erase endurance for the FLASH
memory.
Program and erase operations do not require any special power sources other than the normal VDD supply.
For more detailed information about program/erase operations, see Chapter 4, “Memory.”
Table A-13. FLASH Characteristics
Characteristic
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
Supply voltage for program/erase
Vprog/erase
2.1
3.6
V
Supply voltage for read operation
0 < fBus < 8 MHz
0 < fBus < 20 MHz
VRead
1.8
2.08
3.6
V
Internal FCLK frequency1
1 The frequency of this clock is controlled by a software setting.
fFCLK
150
200
kHz
Internal FCLK period (1/FCLK)
tFcyc
5
6.67
s
Byte program time (random location)(2)
tprog
9
tFcyc
Byte program time (burst mode)(2)
tBurst
4
tFcyc
Page erase time2
2 These values are hardware state machine controlled. User code does not need to count cycles. This information
supplied for calculating approximate time to program and erase.
tPage
4000
tFcyc
Mass erase time(2)
tMass
20,000
tFcyc
Program/erase endurance3
TL to TH = –40°C to + 85°C
T = 25
°C
3 Typical endurance for FLASH was evaluated for this product family on the 9S12Dx64. For additional
information on how Freescale Semiconductor denes typical endurance, please refer to Engineering Bulletin
EB619/D, Typical Endurance for Nonvolatile Memory.
10,000
100,000
—
cycles
Data retention4
4 Typical data retention values are based on intrinsic capability of the technology measured at high temperature
and de-rated to 25
°C using the Arrhenius equation. For additional information on how Freescale Semiconductor
denes typical data retention, please refer to Engineering Bulletin EB618/D, Typical Data Retention for
Nonvolatile Memory.
tD_ret
15
100
—
years
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PDF描述
MC9S08GT32CFB IC MCU 32K FLASH 20MHZ 44-QFP
5504649-1 KIT, FC, SM, 3.0, BLUE
MC9S08GB60CFU IC MCU 60K FLASH 20MHZ 64-LQFP
MC9S08GB32CFU IC MCU 32K FLASH 20MHZ 64-LQFP
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參數(shù)描述
MC9S08GT60CFBE 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 BIT 60K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S08GT60CFBER 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 BIT 60K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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MC9S08GT60CFDE 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT 60K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S08GT60CFDER 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT 60K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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