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參數(shù)資料
| 型號： | MC9S08DV32CLF |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 298/414頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU 32K FLASH 2K RAM 48-LQFP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 250 |
| 系列： | S08 |
| 核心處理器： | S08 |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 40MHz |
| 連通性： | CAN，I²C，LIN，SCI，SPI |
| 外圍設(shè)備： | LVD，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 39 |
| 程序存儲器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 16x12b |
| 振蕩器型： | 外部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 48-LQFP |
| 包裝： | 托盤 |
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MC9S08DV60 Series Data Sheet, Rev 3
Freescale Semiconductor
367
Appendix A
Electrical Characteristics
A.1
Introduction
This section contains the most accurate electrical and timing information for the MC9S08DV60 Series of
microcontrollers available at the time of publication.
A.2
Parameter Classication
The electrical parameters shown in this supplement are guaranteed by various methods. To give the
customer a better understanding the following classication is used and the parameters are tagged
accordingly in the tables where appropriate:
NOTE
The classication is shown in the column labeled “C” in the parameter
tables where appropriate.
A.3
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings are stress ratings only, and functional operation at the maxima is not
guaranteed. Stress beyond the limits specied in Table A-2 may affect device reliability or cause
permanent damage to the device. For functional operating conditions, refer to the remaining tables in this
section.
Table A-1. Parameter Classications
P
Those parameters are guaranteed during production testing on each individual device.
C
Those parameters are achieved by the design characterization by measuring a
statistically relevant sample size across process variations.
T
Those parameters are achieved by design characterization on a small sample size from
typical devices under typical conditions unless otherwise noted. All values shown in
the typical column are within this category.
D
Those parameters are derived mainly from simulations.
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