參數(shù)資料
型號： MC9S08DN16ACLF
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 256/356頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 16K FLASH 1K RAM 48LQFP
標準包裝： 250
系列： S08
核心處理器： S08
芯體尺寸： 8-位
速度： 40MHz
連通性： I²C，LIN，SCI，SPI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 39
程序存儲器容量： 16KB（16K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 大小： 512 x 8
RAM 容量： 1K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 16x12b
振蕩器型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 48-LQFP
包裝： 托盤
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Appendix A Electrical Characteristics
MC9S08DN60 Series Data Sheet, Rev 3
Freescale Semiconductor
329
A.13
Flash and EEPROM
This section provides details about program/erase times and program-erase endurance for the Flash and
EEPROM memory.
Program and erase operations do not require any special power sources other than the normal VDD supply.
For more detailed information about program/erase operations, see Chapter 4, “Memory.”
Table A-16. Flash and EEPROM Characteristics
Num
C
Rating
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
1
—
Supply voltage for program/erase
Vprog/erase
2.7
5.5
V
2—
Supply voltage for read operation
0 < fBus < 8 MHz
0<fBus < 20 MHz
VRead
2.7
5.5
V
3—
Internal FCLK frequency1
1 The frequency of this clock is controlled by a software setting.
fFCLK
150
200
kHz
4
—
Internal FCLK period (1/FCLK)
tFcyc
5
6.67
μs
5—
Byte program time (random location)(2)
tprog
9
tFcyc
6—
Byte program time (burst mode)(2)
tBurst
4
tFcyc
7—
Page erase time2
2 These values are hardware state machine controlled. User code does not need to count cycles. This information supplied for
calculating approximate time to program and erase.
tPage
4000
tFcyc
8—
Mass erase time(2)
tMass
20,000
tFcyc
9C
Flash Program/erase endurance3
TL to TH = –40°C to + 125°C
T = 25
°C
3 Typical endurance for Flash and EEPROM is based on the intrinsic bit cell performance. For additional information on how
Freescale Semiconductor denes typical endurance, please refer to Engineering Bulletin EB619, Typical Endurance for
Nonvolatile Memory.
nFLPE
10,000
—
100,000
—
cycles
10
C
EEPROM Program/erase endurance3
TL to TH = –40°C to + 0°C
TL to TH = 0°C to + 125°C
T = 25
°C
nEEPE
10,000
50,000
—
100,000
—
cycles
11
C
Data retention4
4 Typical data retention values are based on intrinsic capability of the technology measured at high temperature and de-rated
to 25
°C using the Arrhenius equation. For additional information on how Freescale Semiconductor denes typical data
retention, please refer to Engineering Bulletin EB618, Typical Data Retention for Nonvolatile Memory.
tD_ret
15
100
—
years
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MC68HC908QY4MDTE IC MCU 4K FLASH 8MHZ 16-TSSOP
V110A12T400BF3 CONVERTER MOD DC/DC 12V 400W
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參數(shù)描述
MC9S08DN16AMLC 功能描述:8位微控制器 -MCU 16K FLASH, 1K RAM NO CAN RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
MC9S08DN16AMLF 功能描述:8位微控制器 -MCU 16K FL, 1K RAM, LIN MSTR, EPROM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
MC9S08DN16CLC 功能描述:8位微控制器 -MCU 16K FLASH 2K RAM NO CAN RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
MC9S08DN16CLF 功能描述:8位微控制器 -MCU 16K FLASH 2K RAM NO CAN RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
MC9S08DN16MLC 功能描述:8位微控制器 -MCU 16K FLASH 2K RAM NO CAN RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
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