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參數(shù)資料
| 型號： | MC908QC8CDYE |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 215/275頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8BIT 8K FLASH 20-SOIC |
| 標準包裝： | 38 |
| 系列： | HC08 |
| 核心處理器： | HC08 |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 連通性： | SCI，SPI |
| 外圍設備： | LVD，POR，PWM |
| 輸入/輸出數(shù)： | 16 |
| 程序存儲器容量： | 8KB（8K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 384 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 3 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 10x10b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） |
| 包裝： | 管件 |
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FLASH Memory (FLASH)
MC68HC908QC16 MC68HC908QC8 MC68HC908QC4 Data Sheet, Rev. 5
Freescale Semiconductor
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For EEPROM emulation software to work successfully, the following items must be taken care of in the
user software:
1.
Each FLASH byte in a page must be programmed only one time until the page is erased.
2.
A page must be erased before the FLASH cumulative program HV period (tHV) is beyond the
maximum tHV. tHV is defined as the cumulative high-voltage programming time to the same row
before the next erase. For more detailed information, refer to 19.17 Memory Characteristics.
3.
FLASH row erase and program cycles should not exceed 10,000 cycles, respectively.
The above EEPROM emulation software can be easily developed by using the on-chip FLASH routines
implemented in the MCU. These routines are located in the ROM memory and support FLASH program
and erase operations. Proper utilization of the on-chip FLASH routines guarantee conformance to the
FLASH specifications.
In the on-chip FLASH programming routine called PRGRNGE, the high-voltage programming time is
enabled for less than 125
s when programming a single byte at any operating bus frequency between
1.0 MHz and 8.4 MHz. Therefore, even when a row is programmed by 32 separate single-byte
programming operations, tHV is less than the maximum tHV. Hence, item 2 listed above is already taken
care of by using this routine.
A page erased operation is provided in the FLASH erase routine called ERARNGE.
Application note AN2635 (On-Chip FLASH Programming Routines) describes how to use these routines.
The following application notes, available at www.freescale.com, describe how EERPOM emulation is
implemented using FLASH:
AN2183 — Using FLASH as EEPROM on the MC68HC908GP32
AN2346 — EEPROM Emulation Using FLASH in MC68HC908QY/QT MCUs
AN2690 — Low Frequency EEPROM Emulation on the MC68HC908QY4
An EEPROM emulation driver, available at www.freescale.com, has been developed and qualified:
AN3040 — M68HC08 EEPROM Emulation Driver
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC908QC16CDYE | IC MCU 8BIT 16K FLASH 20-SOIC |
| MC908MR16VBE | IC MCU 16K FLASH 8MHZ 52-SDIP |
| EFM32GG295F1024 | IC MCU 32BIT 1024KB FLASH BGA120 |
| MC908KX8MPE | IC MCU 8K FLASH 4/8MHZ 16-DIP |
| MC908KX8MDWER2 | IC MCU 8K FLASH 4/8MHZ 16-SOICW |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MC908QC8CDYER | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers |
| MC908QC8CDZE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT MCU 8K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| MC908QC8CDZER | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT MCU 8K FLASH PBFREE RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| MC908QC8MDRE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT MCU 8KFLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| MC908QC8MDRER | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers |
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