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FLASH Memory
MC68HC908AP Family Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
43
2.5.2 FLASH Control Register
The FLASH control register (FLCR) controls FLASH program and erase operation.
HVEN — High Voltage Enable Bit
This read/write bit enables the charge pump to drive high voltages for program and erase operations
in the array. HVEN can only be set if either PGM = 1 or ERASE = 1 and the proper sequence for
program or erase is followed.
1 = High voltage enabled to array and charge pump on
0 = High voltage disabled to array and charge pump off
MASS — Mass Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for mass erase operation or page erase operation when the
ERASE bit is set.
1 = Mass erase operation selected
0 = Page erase operation selected
ERASE — Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for erase operation. ERASE is interlocked with the PGM bit
such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1 at the same time.
1 = Erase operation selected
0 = Erase operation not selected
PGM — Program Control Bit
This read/write bit configures the memory for program operation. PGM is interlocked with the ERASE
bit such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1 at the same time.
1 = Program operation selected
0 = Program operation not selected
2.5.3 FLASH Page Erase Operation
Use the following procedure to erase a page of FLASH memory. A page consists of 512 consecutive
bytes starting from addresses $X000, $X200, $X400, $X600, $X800, $XA00, $XC00, or $XE00. The
48-byte user interrupt vectors cannot be erased by the page erase operation because of security reasons.
Mass erase is required to erase this page.
1.
Set the ERASE bit and clear the MASS bit in the FLASH control register.
2.
Write any data to any FLASH location within the page address range desired.
3.
Wait for a time, tnvs (5 s).
4.
Set the HVEN bit.
5.
Wait for a time terase (20 ms).
1. No security feature is absolutely secure. However, Freescale’s strategy is to make reading or copying the FLASH difficult for
unauthorized users.
Address:
$FE08
Bit 7
654321
Bit 0
Read:
0000
HVEN
MASS
ERASE
PGM
Write:
Reset:
00000000
Figure 2-3. FLASH Control Register (FLCR)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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