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參數資料
| 型號： | F49L004BA |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（為512k × 8）3V時僅閃存的CMOS |
| 文件頁數： | 27/46頁 |
| 文件大小： | 371K |
| 代理商： | F49L004BA |
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EFS T
preliminary
F49L004UA / F49L004BA
Elite Flash Storage Technology Inc.
Publication Date : Aug. 2003
Revision: 0.2 27/46
Figure 10. Embedded Chip Erase Timing Waveform
Notes :
SA = Sector Address (for Sector Erase, VA = Valid Address for reading status data
(see "Write Operation Status")
Addr ess
CE
W E
OE
2AAAh
555h
VA
VA
t
W C
t
A S
Er ase Com mand Sequence( last two cycle)
Read Status Data
t
A H
t
CH
t
G H W L
t
W P
t
CS
t
W P H
55h
t
DS
t
DH
10h
P r o I n
t
W HW H 1
Data
t
RB
t
B US Y
RY/BY
t
V C S
VC C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLH0041G | 0.2 Amp Linear Power Operational Amplifier in a Hermetic 12-lead Package |
| FLM3439-12F | C-Band Internally Matched FET |
| FLM5359-12F | C-Band Internally Matched FET |
| FM25L16 | 4Kb FRAM Serial 3V Memory |
| FM25L16-DG | 4Kb FRAM Serial 3V Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| F49L004BA-70N | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L004BA-70T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L004BA-90N | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L004BA-90T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
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