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參數(shù)資料
| 型號： | MC68HC908QY4VP |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP16 |
| 封裝： | PLASTIC, DIP-16 |
| 文件頁數(shù)： | 122/192頁 |
| 文件大小： | 3607K |
| 代理商： | MC68HC908QY4VP |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁當(dāng)前第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁
Memory
FLASH Memory (FLASH)
MC68HC908QY/QT Family — Rev. 3
Data Sheet
MOTOROLA
Memory
35
MASS — Mass Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for mass erase operation.
1 = Mass erase operation selected
0 = Mass erase operation unselected
ERASE — Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for erase operation. ERASE is
interlocked with the PGM bit such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1
at the same time.
1 = Erase operation selected
0 = Erase operation unselected
PGM — Program Control Bit
This read/write bit configures the memory for program operation. PGM is
interlocked with the ERASE bit such that both bits cannot be equal to 1 or set
to 1 at the same time.
1 = Program operation selected
0 = Program operation unselected
2.6.2 FLASH Page Erase Operation
Use the following procedure to erase a page of FLASH memory. A page consists
of 64 consecutive bytes starting from addresses $XX00, $XX40, $XX80, or $XXC0.
The 48-byte user interrupt vectors area also forms a page. Any FLASH memory
page can be erased alone.
1.
Set the ERASE bit and clear the MASS bit in the FLASH control register.
2.
Read the FLASH block protect register.
3.
Write any data to any FLASH location within the address range of the block
to be erased.
4.
Wait for a time, tNVS (minimum 10 s).
5.
Set the HVEN bit.
6.
Wait for a time, tErase (minimum 1 ms or 4 ms).
7.
Clear the ERASE bit.
8.
Wait for a time, tNVH (minimum 5 s).
9.
Clear the HVEN bit.
10.
After time, tRCV (typical 1 s), the memory can be accessed in read mode
again.
NOTE:
Programming and erasing of FLASH locations cannot be performed by code being
executed from the FLASH memory. While these operations must be performed in
the order as shown, but other unrelated operations may occur between the steps.
CAUTION:
A page erase of the vector page will erase the internal oscillator trim value at
$FFC0.
F
re
e
sc
a
le
S
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o
n
d
u
c
to
r,
I
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
c
..
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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