Clear the PGM bit.(1)
參數(shù)資料
型號： MC68HC908GZ8VFA
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 252/314頁
文件大小： 0K
描述： IC MCU 8K FLASH 8MHZ CAN 48-LQFP
標準包裝： 250
系列： HC08
核心處理器： HC08
芯體尺寸： 8-位
速度： 8MHz
連通性： CAN，LIN，SCI，SPI
外圍設備： LVD，POR，PWM
輸入/輸出數(shù)： 37
程序存儲器容量： 8KB（8K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 1K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 3 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉換器： A/D 8x10b
振蕩器型： 內部
工作溫度： -40°C ~ 105°C
封裝/外殼： 48-LQFP
包裝： 托盤
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Memory
MC68HC908GZ16 MC68HC908GZ8 Data Sheet, Rev. 4
42
Freescale Semiconductor
10.
Clear the PGM bit.(1)
11.
Wait for a time, tNVH (minimum 5 μs).
12.
Clear the HVEN bit.
13.
After time, tRCV (typical 1 μs), the memory can be accessed in read mode again.
This program sequence is repeated throughout the memory until all data is programmed.
NOTE
Programming and erasing of FLASH locations can not be performed by
code being executed from the same FLASH array.
NOTE
While these operations must be performed in the order shown, other
unrelated operations may occur between the steps. Care must be taken
within the FLASH array memory space such as the COP control register
(COPCTL) at $FFFF.
NOTE
It is highly recommended that interrupts be disabled during program/ erase
operations.
NOTE
Do not exceed tPROG maximum or tHV maximum. tHV is defined as the
cumulative high voltage programming time to the same row before next
erase. tHV must satisfy this condition:
tNVS + tNVH + tPGS + (tPROG x 32) ≤ tHV maximum
NOTE
The time between programming the FLASH address change (step 7 to step
7), or the time between the last FLASH programmed to clearing the PGM
bit (step 7 to step 10) must not exceed the maximum programming time,
tPROG maximum.
CAUTION
Be cautious when programming the FLASH array to ensure that
non-FLASH locations are not used as the address that is written to when
selecting either the desired row address range in step 3 of the algorithm or
the byte to be programmed in step 7 of the algorithm. This applies
particularly to $FFD4–$FFDF.
相關PDF資料
PDF描述
C8051F341-GQ IC 8051 MCU FLASH 32K 48TQFP
VE-B6J-IY-F4 CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
VE-B6J-IY-F3 CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
VE-B6J-IY-F1 CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
VE-B6J-CU-B1 CONVERTER MOD DC/DC 36V 200W
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MC68HC908GZ8VFJ 功能描述:IC MCU 8K FLASH 8MHZ CAN 32-LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
MC68HC908JB12DW 功能描述:IC MCU 12K FLASH 6MHZ USB 28SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
MC68HC908JB12JDW 功能描述:IC MCU 12K FLASH 6MHZ USB 20SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
MC68HC908JB16DW 功能描述:IC MCU 16K FLASH 6MHZ USB 28SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
MC68HC908JB16FA 功能描述:IC MCU 16K FLASH 6MHZ USB 32LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
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