Clear the PGM bit.(1)
參數(shù)資料
型號： MC68HC908GZ16CFA
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 252/314頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 16K FLASH 8MHZ CAN 48LQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 250
系列： HC08
核心處理器： HC08
芯體尺寸： 8-位
速度： 8MHz
連通性： CAN，LIN，SCI，SPI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM
輸入/輸出數(shù)： 37
程序存儲器容量： 16KB（16K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 1K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 3 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 8x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 48-LQFP
包裝： 托盤
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Memory
MC68HC908GZ16 MC68HC908GZ8 Data Sheet, Rev. 4
42
Freescale Semiconductor
10.
Clear the PGM bit.(1)
11.
Wait for a time, tNVH (minimum 5 μs).
12.
Clear the HVEN bit.
13.
After time, tRCV (typical 1 μs), the memory can be accessed in read mode again.
This program sequence is repeated throughout the memory until all data is programmed.
NOTE
Programming and erasing of FLASH locations can not be performed by
code being executed from the same FLASH array.
NOTE
While these operations must be performed in the order shown, other
unrelated operations may occur between the steps. Care must be taken
within the FLASH array memory space such as the COP control register
(COPCTL) at $FFFF.
NOTE
It is highly recommended that interrupts be disabled during program/ erase
operations.
NOTE
Do not exceed tPROG maximum or tHV maximum. tHV is defined as the
cumulative high voltage programming time to the same row before next
erase. tHV must satisfy this condition:
tNVS + tNVH + tPGS + (tPROG x 32) ≤ tHV maximum
NOTE
The time between programming the FLASH address change (step 7 to step
7), or the time between the last FLASH programmed to clearing the PGM
bit (step 7 to step 10) must not exceed the maximum programming time,
tPROG maximum.
CAUTION
Be cautious when programming the FLASH array to ensure that
non-FLASH locations are not used as the address that is written to when
selecting either the desired row address range in step 3 of the algorithm or
the byte to be programmed in step 7 of the algorithm. This applies
particularly to $FFD4–$FFDF.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
5504566-2 CONN F/OPTIC SMA 905 140UM HOLE
3-5504566-0 CONN F/OPTIC SMA 905 .039IN HOLE
COP8SAB7SLB9 IC MCU OTP 8BIT 2K 28LAMINATECSP
VE-B4Y-IX-F4 CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W
VE-B63-IY-F2 CONVERTER MOD DC/DC 24V 50W
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MC68HC908GZ16CFJ 功能描述:IC MCU 16K FLASH 8MHZ CAN 32LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
MC68HC908GZ16MFA 功能描述:IC MCU 16K FLASH 8MHZ CAN 48LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
MC68HC908GZ16MFJ 功能描述:IC MCU 16K FLASH 8MHZ CAN 32LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
MC68HC908GZ16VFA 功能描述:IC MCU 16K FLASH 8MHZ CAN 48LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
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