參數(shù)資料
型號： MC33151DR2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Speed Dual MOSFET Drivers
中文描述： 1.5 A 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： MC33151DR2
MC34151, MC33151
http://onsemi.com
4
VCC = 12 V
Vin = 5 V to 0 V
CL = 1.0 nF
TA = 25
°
C
Figure 7. Propagation Delay
Figure 8. Drive Output Clamp Voltage
versus Clamp Current
Figure 9. Drive Output Saturation Voltage
versus Load Current
Figure 10. Drive Output Saturation Voltage
versus Temperature
Figure 11. Drive Output Rise Time
Figure 12. Drive Output Fall Time
90%
10%
50 ns/DIV
90%
10%
10 ns/DIV
90%
10%
10 ns/DIV
IO, OUTPUT LOAD CURRENT (A)
V
High State Clamp
(Drive Output Driven Above VCC)
VCC
Gnd
Low State Clamp
(Drive Output Driven Below Ground)
VCC = 12 V
80
μ
s Pulsed Load
120 Hz Rate
TA = 25
°
C
IO, OUTPUT LOAD CURRENT (A)
V
Source Saturation
(Load to Ground)
VCC = 12 V
80
μ
s Pulsed Load
120 Hz Rate
TA = 25
°
C
VCC
Sink Saturation
(Load to VCC)
0.6
Gnd
TA, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
V
Source Saturation
(Load to Ground)
Sink Saturation
(Load to VCC)
–25
VCC = 12 V
Isource = 400 mA
Isink = 400 mA
VCC
Isource = 10 mA
Isink = 10 mA
Gnd
Drive Output
Logic Input
VCC = 12 V
Vin = 5 V to 0 V
CL = 1.0 nF
TA = 25
°
C
VCC = 12 V
Vin = 5 V to 0 V
CL = 1.0 nF
TA = 25
°
C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0.2
0.4
0.8
1.0
1.2
1.4
–55
0
25
50
75
100
125
3.0
2.0
1.0
0
0
–1.0
0
–1.0
–2.0
–3.0
3.0
2.0
1.0
0
0
–0.5
–0.7
–0.9
–1.1
1.9
1.7
1.5
1.0
0.8
0.6
0
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