型號: | MC14106BDTR2G |
廠商: | ON Semiconductor |
文件頁數(shù): | 1/9頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | IC SCHMITT TRIGGER HEX 14-TSSOP |
標準包裝: | 1 |
系列: | 4000B |
邏輯類型: | 逆變器,緩沖器 |
電路數(shù): | 6 |
輸入數(shù): | 1 |
特點: | 施密特觸發(fā)器 |
電源電壓: | 3 V ~ 18 V |
電流 - 靜態(tài)(最大值): | 1µA |
輸出電流高,低: | 8.8mA,8.8mA |
邏輯電平 - 低: | 0.9 V ~ 4 V |
邏輯電平 - 高: | 3.6 V ~ 10.8 V |
額定電壓和最大 CL 時的最大傳播延遲: | 80ns @ 15V,50pF |
工作溫度: | -55°C ~ 125°C |
安裝類型: | 表面貼裝 |
供應商設備封裝: | 14-TSSOP |
封裝/外殼: | 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) |
包裝: | 標準包裝 |
其它名稱: | MC14106BDTR2GOSDKR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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OSTV7150150 | TERM BLOCK PLUG 7.62MM 15POS |
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OSTV717A150 | TERM BLOCK PLUG 7.5MM 17POS |
MC74LVX08DTG | IC GATE AND QUAD 2INPUT 14-TSSOP |
MC74AC02DR2G | IC GATE NOR QUAD 2INPUT 14SOIC |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MC1411CP | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
MC1413BD | 功能描述:達林頓晶體管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
MC1413BDG | 功能描述:達林頓晶體管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
MC1413BDG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Transistor Array IC |
MC1413BDR2 | 功能描述:達林頓晶體管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |