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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MC-4532DA726EF-A80 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168 |
| 封裝： | DIMM-168 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 22/24頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 242K |
| 代理商： | MC-4532DA726EF-A80 |
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Data Sheet M13633EJ5V0DS00
7
MC-4532DA726
Capacitance (TA = 25
°°°°C, f = 1 MHz)
[ MC-4532DA726EF ]
Parameter
Symbol
Test condition
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Input capacitance
CI1
A0 - A11, BA0 (A13), BA1 (A12),
/RAS, /CAS, /WE
410
pF
CI2
CLK0 - CLK3
15
35
CI3
CKE0
8
18
CI4
/CS0, /CS2
4
10
CI5
DQMB0 - DQMB7
4
10
Data input/output capacitance
CI/O
DQ0 - DQ63, CB0 - CB7
6
13
pF
[ MC-4532DA726EFB ]
Parameter
Symbol
Test condition
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Input capacitance
CI1
A0 - A11, BA0 (A13), BA1 (A12),
/RAS, /CAS, /WE
TBD
pF
CI2
CLK0 - CLK3
TBD
CI3
CKE0
TBD
CI4
/CS0, /CS2
TBD
CI5
DQMB0 - DQMB7
TBD
Data input/output capacitance
CI/O
DQ0 - DQ63, CB0 - CB7
TBD
pF
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC-454BA80F-A12 | 4M X 80 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 9.5 ns, DMA200 |
| MC10130FN | 10K SERIES, DUAL LOW LEVEL TRIGGERED D LATCH, COMPLEMENTARY OUTPUT, PQCC20 |
| MC105M | RECTANGULAR CONNECTOR |
| MC108NP-562 | SHIELDED, VARIABLE INDUCTOR |
| MC108NP-392 | SHIELDED, VARIABLE INDUCTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MC-4532DA726EFB-A10 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:32 M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE REGISTERED TYPE |
| MC-4532DA726EFB-A80 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:32 M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE REGISTERED TYPE |
| MC-4532DA726PFB-A10 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:32 M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE REGISTERED TYPE |
| MC-4532DA726PFB-A80 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:32 M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE REGISTERED TYPE |
| MC-4532DA726XFB-A10 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:32 M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE REGISTERED TYPE |
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