參數(shù)資料
型號： MBT3946DW1T1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual General Purpose Transistor
中文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 422K
代理商： MBT3946DW1T1G
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
MBT3904–5/12
MBT3904DW1T1 (NPN)
t
T
t
r
,
f
,
500
300
200
100
70
50
30
20
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7
5
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8
6
4
2
0
N
MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, MBT3946DW1T1
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70 100
200
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 5. Turn–On Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 6. Rise Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 7. Storage Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. Fall Time
TYPICAL AUDIO SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
NOISE FIGURE VARIATIONS
(V = 5.0 Vdc, T = 25°C, Bandwidth = 1.0 Hz)
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200
500
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200
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5
N
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300
200
100
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5
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300
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100
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5
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200
f,FREQUENCY (kHz)
Figure 9. Noise Figure
R
S
, SOURCE RESISTANCE (k
)
Figure 10. Noise Figure
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
100
14
12
10
8
6
4
2
0
0.1
0.2
0.4
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2.0
4.0
10
20
40
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBT3946DW1T2 Dual General Purpose Transistor
MBT3946DW1T2G Dual General Purpose Transistor
MC-4216LFC721 3.3 V Operation 8M-Word By 72-Bit Dynamic RAM Module(工作電壓為3.3V的動態(tài)RAM模塊)
MC-4216LFC72 3.3 V Operation 8M-Word By 72-Bit Dynamic RAM Module(工作電壓為3.3V的動態(tài)RAM模塊)
MC-4216LFF721 3.3 V Operation 8M-Word By 72-Bit Dynamic RAM Module(工作電壓為3.3V的DRAM模塊)
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參數(shù)描述
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MBT3946DW1T2 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MBT42N 制造商:APEM 功能描述:Switch Slide 4PDT Extended Top Slide 0.3A 125VAC 30VDC PC Pins Bracket Mount/Through Hole
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