參數(shù)資料
型號(hào)： MBT3946DW1T1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大小： 277K
代理商： MBT3946DW1T1
MBT3904DW1T1 MBT3906DW1T1 MBT3946DW1T1
10
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
MBT3906DW1T1 (PNP)
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 31. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
0.2
0.1
h
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
0.5
2.0
3.0
10
50
70
0.2
0.3
0.1
100
1.0
0.7
200
30
20
5.0
7.0
FE
VCE = 1.0 V
TJ = +125°C
+25
°C
–55
°C
MBT3906DW1T1 (PNP)
Figure 32. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
V
,COLLECT
OR
EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.5
2.0
3.0
10
0.2
0.3
0
1.0
0.7
5.0
7.0
CE
IC = 1.0 mA
TJ = 25°C
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
10 mA
30 mA
100 mA
MBT3906DW1T1 (PNP)
Figure 33. “ON” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
Figure 34. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0
100
– 0.5
0
0.5
1.0
0
60
80
120
140
160
180
20
40
100
200
– 1.0
– 1.5
– 2.0
200
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 1.0 V
+25
°C TO +125°C
–55
°C TO +25°C
+25
°C TO +125°C
–55
°C TO +25°C
qVC FOR VCE(sat)
qVB FOR VBE(sat)
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)
°
Vq
MBT3906DW1T1 (PNP)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBT3906DW1T1 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MC-10118BF1-ENY-A SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA481
MC141555P1 UNIVERSAL SERIAL BUS CONTROLLER, PDIP28
MC141556P UNIVERSAL SERIAL BUS CONTROLLER, PDIP28
MC14536BDWR2 1 TIMER(S), PROGRAMMABLE TIMER, PDSO16
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBT3946DW1T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3946DW1T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MBT3946DW1T2 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3946DW1T2G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT42N 制造商:APEM 功能描述:Switch Slide 4PDT Extended Top Slide 0.3A 125VAC 30VDC PC Pins Bracket Mount/Through Hole
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