參數(shù)資料
型號： MBT3946DW1T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual General Purpose Transistor
中文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 10/10頁
文件大小： 422K
代理商： MBT3946DW1T1
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
MBT3904–10/12
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 31. DC Current Gain
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
h
F
,
MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, MBT3946DW1T1
MBT3906DW1T1 (PNP)
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
I
B
, BASE CURRENT (mA)
Figure 32. Collector Saturation Region
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
h
F
,
0.01
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
V
θ
V
,
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 33. “ON” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 34. Temperature Coefficients
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBT3946DW1T1G Dual General Purpose Transistor
MBT3946DW1T2 Dual General Purpose Transistor
MBT3946DW1T2G Dual General Purpose Transistor
MC-4216LFC721 3.3 V Operation 8M-Word By 72-Bit Dynamic RAM Module(工作電壓為3.3V的動態(tài)RAM模塊)
MC-4216LFC72 3.3 V Operation 8M-Word By 72-Bit Dynamic RAM Module(工作電壓為3.3V的動態(tài)RAM模塊)
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參數(shù)描述
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MBT3946DW1T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MBT3946DW1T2 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3946DW1T2G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT42N 制造商:APEM 功能描述:Switch Slide 4PDT Extended Top Slide 0.3A 125VAC 30VDC PC Pins Bracket Mount/Through Hole
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