參數(shù)資料
型號： MBT3946DW1T1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Dual General Purpose Transistors
中文描述： 雙通用晶體管
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 422K
代理商： MBT3946DW1T1
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
MBT3904–8/12
MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, MBT3946DW1T1
MBT3906DW1T1 (PNP)
Figure 19. Delay and Rise Time
Equivalent Test Circuit
Figure 20. Storage and Fall Time
Equivalent Test Circuit
TYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICS
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
* Total shunt capacitance of test jig and connectors
0.1
0.2 0.3
0.5
0.71.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30 40
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 21. Capacitancere
C
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
70
50
Q
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 22. Charge Data
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 23. Turn–On Time
T
t
f
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 24. Fall Time
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBT3946DW1T1 Dual General Purpose Transistor
MBT3946DW1T1G Dual General Purpose Transistor
MBT3946DW1T2 Dual General Purpose Transistor
MBT3946DW1T2G Dual General Purpose Transistor
MC-4216LFC721 3.3 V Operation 8M-Word By 72-Bit Dynamic RAM Module(工作電壓為3.3V的動(dòng)態(tài)RAM模塊)
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參數(shù)描述
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MBT3946DW1T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MBT3946DW1T2 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3946DW1T2G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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