參數資料
型號： MBT3906DW1T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual General Purpose Transistor
中文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN
文件頁數： 5/6頁
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代理商： MBT3906DW1T1
MBT3906DW1T1
http://onsemi.com
5
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 13. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
0.2
0.1
h
0.5
2.0
3.0
10
50
70
0.2
0.3
0.1
100
1.0
0.7
200
30
20
5.0
7.0
F
V
CE
= 1.0 V
T
J
= +125
°
C
+25
°
C
55
°
C
Figure 14. Collector Saturation Region
I
B
, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
V
0.5
2.0
3.0
10
0.2
0.3
0
1.0
0.7
5.0
7.0
C
I
C
= 1.0 mA
T
J
= 25
°
C
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
10 mA
30 mA
100 mA
Figure 15. “ON” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
Figure 16. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0
100
0.5
0
0.5
1.0
0
60
80
120
140
160
180
20
40
100
200
1.0
1.5
2.0
200
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
+25
°
C TO +125
°
C
55
°
C TO +25
°
C
+25
°
C TO +125
°
C
55
°
C TO +25
°
C
VC
FOR V
CE(sat)
VB
FOR V
BE(sat)
,
V
°
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PDF描述
MBT3906DW1T1G Dual General Purpose Transistor
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