參數(shù)資料
型號: MBT3904DW
廠商: WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
英文描述: Dual General Purpose Transistor NPN+NPN Silicon
中文描述: 雙通用npn型NPN硅晶體管
文件頁數(shù): 4/7頁
文件大小: 208K
代理商: MBT3904DW
MMBT3904W
tr@VCC=3.0V
td@VOB=0V
Figure 5.Turn-On Time
IC COLLECTOR CURRENT
T
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
IC / IB=10
40V
15V
2.0V
IC COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 6. Rise Time
t
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
500
300
200
100
70
30
20
10
7
5
50
VCC =40V
IC / IB=10
Figure 8. Fall Time
IC COLLECTOR CURRENT (mA)
t
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
VCC=40V
IB1=IB2
IC / IB=20
IC / IB=10
Figure 7. Storage Time
IC COLLECTOR CURRENT (mA)
I
s
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0 10
20
30
50 70 100
200
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
IC / IB=20
IC / IB=20
IC / IB=10
IC / IB=10
t , =ts-1/8tf
IB1=IB2
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
Figure 10.
RS SOURSE RESISTANCE (kOHMS)
N
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
100
14
12
10
8
6
4
2
0
f =1.0kHz
IC=1.0mA
IC=0.5mA
IC=50 μA
IC=100 μA
Figure 9.
f FREQUENCY (kHz)
N
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
100
12
10
8
6
4
2
0
SOURCE RESISTANCE=200
IC=1.0 mA
SOURCE RESISTANCE=200
IC=0.5 mA
SOURCE RESISTANCE=500
IC=100μA
SOURCE RESISTANCE=1.0k
IC=50μA
TYPICAL AUDIO SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS NOISE FIGURE VARIATIONS
(VCE=5.0 Vdc. TA=25 C, Bandwidth=1.0Hz)
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MC2831 FOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION SILICON EPITAXIAL TYPE
MC2832 FOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION SILICON EPITAXIAL TYPE
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參數(shù)描述
MBT3904DW1T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW1T1_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistors
MBT3904DW1T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW1T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW1T3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2