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參數(shù)資料
| 型號： | MBT3904DW1T1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Dual General Purpose Transistors |
| 中文描述： | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419B-02, SC-88, SC-70, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 105K |
| 代理商： | MBT3904DW1T1G |
MBT3904DW1T1, MBT3904DW2T1
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER 2
2. BASE 2
3. COLLECTOR 1
4. EMITTER 1
5. BASE 1
6. COLLECTOR 2
STYLE 27:
PIN 1. BASE 2
2. BASE 1
3. COLLECTOR 1
4. EMITTER 1
5. EMITTER 2
6. COLLECTOR 2
SOT363/SC88/SC706
CASE 419B02
ISSUE U
mm
inches
SCALE 20:1
0.65
0.025
0.65
0.025
0.50
0.0197
0.40
0.0157
1.9
0.0748
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 419B01 OBSOLETE, NEW STANDARD 419B02.
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
N
S
MIN
0.071
0.045
0.031
0.004
0.026 BSC
0.004
0.004
0.008 REF
0.079
MAX
0.087
0.053
0.043
0.012
MIN
1.80
1.15
0.80
0.10
0.65 BSC
0.10
0.10
0.20 REF
2.00
MAX
2.20
1.35
1.10
0.30
MILLIMETERS
INCHES
0.10
0.25
0.30
0.004
0.010
0.012
2.20
0.087
B
0.2 (0.008)
M
M
1
2
3
A
G
S
H
C
N
J
K
6
5
4
B
D
6 PL
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBT3904DW2T1 | Dual General Purpose Transistors |
| MBT3904DW2T1G | Dual General Purpose Transistors |
| MBT3904DW1T3 | Dual General Purpose Transistors(雙NPN通用晶體管) |
| MBT3904DW1T1 | Dual General Purpose Transistors |
| MBT3946DW1T1 | Dual General Purpose Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBT3904DW1T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBT3904DW1T3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBT3904DW2T1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBT3904DW2T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBT3904-TF | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:3904-TF |
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