參數(shù)資料
型號： MBT3904DW1T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual General Purpose Transistors
中文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 419B-02, SC-88, SC70-6, 6 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： MBT3904DW1T1
MBT3904DW1T1, MBT3904DW2T1
http://onsemi.com
3
SWITCHING CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Delay Time
(V
CC
= 3.0 Vdc, V
BE
= 0.5 Vdc)
t
d
35
ns
Rise Time
(I
C
= 10 mAdc, I
B1
= 1.0 mAdc)
t
r
35
Storage Time
(V
CC
= 3.0 Vdc, I
C
= 10 mAdc)
t
s
200
ns
Fall Time
(I
B1
= I
B2
= 1.0 mAdc)
t
f
50
Figure 1. Delay and Rise Time
Equivalent Test Circuit
Figure 2. Storage and Fall Time
Equivalent Test Circuit
+3 V
275
10 k
1N916
C
s
< 4 pF*
+3 V
275
10 k
C
s
< 4 pF*
< 1 ns
0.5 V
+10.9 V
300 ns
DUTY CYCLE = 2%
< 1 ns
9.1 V
′
+10.9 V
DUTY CYCLE = 2%
t
1
0
10 < t
1
< 500 s
* Total shunt capacitance of test jig and connectors
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PDF描述
MBT3904DW1T1G Dual General Purpose Transistors
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參數(shù)描述
MBT3904DW1T1_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistors
MBT3904DW1T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW1T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW1T3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW2T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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