參數(shù)資料
型號： MBRS2H100T3G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Surface Mount Schottky Power Rectifier
中文描述： 2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, CASE 403A-03, SMB, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 88K
代理商： MBRS2H100T3G
MBRS2H100T3G
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance, Junction-to-Lead (Note 2)
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 3)
R
JL
R
JA
14
71
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value
Unit
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
Maximum Instantaneous Forward Voltage
(Note 4)
(i
F
= 2.0 A)
v
F
0.79
0.65
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 4)
(V
R
= 100 V)
I
R
0.008
1.5
mA
2. Mounted with minimum recommended pad size, PC Board FR4.
3. 1 inch square pad size (1 x 0.5 inch for each lead) on FR4 board.
4. Pulse Test: Pulse Width
≤
250 s, Duty Cycle
≤
2.0%.
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Typical Forward Voltage
Figure 2. Maximum Forward Voltage
V
F
, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
V
F
, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
1
10
100
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
1
10
100
Figure 3. Typical Reverse Current
Figure 4. Maximum Reverse Current
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
90
80
60
50
30
20
10
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
90
80
60
50
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
I
F
,
I
F
,
I
R
,
I
R
,
1.2
1.1
1.0
150
°
C
125
°
C
25
°
C
150
°
C
125
°
C
25
°
C
40
70
100
150
°
C
125
°
C
25
°
C
40
70
100
150
°
C
125
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBRS3100 SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBRS410ET3 Surface Mount Schottky Power Rectifier
MBRS410LT3 Surface Mount Schottky Barrier Power Rectifier(4A，10V表面安裝肖特基勢壘功率整流管)
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MC-201SC CGrid VT Bkwy Hdr Tin 14Ckt (240/110)
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