參數(shù)資料
型號(hào)： MBRF30H150CT-E3/45
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 15 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大小： 113K
代理商： MBRF30H150CT-E3/45
MBR30H150CT, MBRF30H150CT & SB30H150CT-1
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88865
Revision: 18-Apr-08
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
0.1
0.3
Instantaneo
u
s For
w
ard
V
oltage (
V
)
0.2
0.4
0.6
0.
8
1.0
0.5
0.7
0.9
1.1
1.2
100
10
0.1
1
T
J
= 125 °C
T
J
= 175 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 75 °C
I
u
s
w
a
u
r
0.1
0.01
1
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100
1000
10 000
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0
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T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 25 °C
Percent of Rated Peak Re
v
erse
V
oltage (
%
)
I
u
s
v
e
u
r
μ
A
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
10
1
100
100
1000
10 000
0.1
10
Re
v
erse
V
oltage (
V
)
J
u
n
0.01
1
100
10
10
100
0.1
0.1
1
MBRF
MBR, MBRB
t - P
u
lse D
u
ration (s)
T
W
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBRF4060PT 40 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
MBRF30H150CTG 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 30A 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
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MBRF30H45CT-E3/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 45 Volt 30A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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