參數(shù)資料
型號(hào)： MBRD820CT
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 4 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 338K
代理商： MBRD820CT
MBRD820CT
THRU
MBRD8100CT
8 Amp Schottky
Barrier Rectifier
20 to
100 Volts
Features
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-0.
Metal silicon junction ,majority carrier conduction
Guard ring for overvoltage protection
For use in low voltage ,high frequency inverters, free wheeling ,
and polarity protection applications
High temperature soldering guaranteed:250 C/10 seconds,
0.25"(6.35mm)from case
Maximum Ratings
Operating Temperature: 820CT-840CT: - 65℃ to +125℃
850CT-8100CT: - 65℃ to +150℃
Storage Temperature: -65℃ to +150℃
MCC
Part Number
Device
Marking
Max
Peak
Reverse
Voltage
Max
RMS
Voltage
Max DC
Blocking
Voltage
MBRD820CT
20V
14V
20V
MBRD830CT
30V
21V
30V
MBRD840CT
40V
28V
40V
MBRD850CT
50V
35V
50V
MBRD860CT
60V
42V
60V
MBRD880CT
80V
56V
80V
MBRD8100CT
100V
70V
100V
Electrical Characteristics @ 25
°C Unless Otherwise Specified
Average
Forward
Current
IF(AV)
4A
8A
Per Diode
Per Device
Peak Forward Surge
Current
IFSM
150A
8.3ms, half sine
Maximum
Forward
Voltage*
MBRD
820CT-840CT
MBRD
850CT-860CT
MBRD
880CT-8100CT
VF
0.65V
0.75V
0.85V
IFM =5A
Maximum Reverse
Current At Rated
Blocking Voltage*
MBRD
820CT-8100CT
MBRD
820CT-840CT
MBRD
850CT-8100CT
IR
1.0mA
50mA
25mA
TA = 25℃
TA = 100℃
Peak Repetitive
Forward Current
IFRM
20A
Square Wave,
20 KHz, TC=105℃
Thermal Resistance
R JC
2.5℃/W
-------
*Pulse test: Pulse width 300
sec, Duty cycle 1%
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
0.235
0.245
5.97
6.22
B
0.205
0.215
5.21
5.46
C
0.086
0.094
2.19
2.38
D
0.025
0.035
0.64
0.89
E
0.035
0.045
0.99
1.14
F
0.250
0.265
6.35
6.73
G
0.090
2.28
J
0.018
0.023
0.48
0.58
K
0.020
---
0.51
---
S
0.370
0.410
9.40
10.42
V
0.035
0.050
0.88
1.27
2
1
3
A
S
V
B
D
G
C
E
J
K
1
2
3
F
omponents
20736 Marilla Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
Revision: 1
2005/09/16
DPAK
TM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MSPSMBJ2K4.5TR 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
MLL759A 12 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MQSMBG5913DE3 3.3 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA
MQSMBG5922E3 7.5 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA
MQSMBG5932E3TR 20 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBRD835L 功能描述:肖特基二極管與整流器 8A 35V Low Vf RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBRD835L_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE Power Rectifier
MBRD835LG 功能描述:肖特基二極管與整流器 8A 35V Low Vf RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBRD835L-T 功能描述:DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類(lèi)型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱(chēng):*1N3879
MBRD835LT4 功能描述:肖特基二極管與整流器 8A 35V Low Vf RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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