參數(shù)資料
型號(hào)： MBRB20H200CT-1
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 整流器
英文描述： 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： MBRB20H200CT-1
MBR20H200CT, MBRF20H200CT & MBRB20H200CT-1 Series
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88786
www.vishay.com
02-Jun-04
3
0.1
0.3
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.5
0.7
0.9
1.1
100
10
0.1
1
0.1
0.01
1
10
100
1,000
0.01
1
100
10
100
0.1
1
Fig. 3 – Typical Instantaneous
Forward Characteristics
I R
--
Instantaneous
Reverse
Current
(
A)
Junction
Capacitance
(pF)
1
10
100
1000
10000
0.1
10
Reverse Voltage (V)
10
20
30
50
70
100
40
60
80
90
Fig. 4 – Typical Reverse
Characteristics
Fig. 6 – Typical Transient
Thermal Impedance Per Leg
t -- Pulse Duration (sec.)
Instantaneous Forward Voltage (V)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
I F
--
Instantaneous
Forward
Current
(A)
T
ransient
Thermal
Impedance
(
°C/W)
0
5
10
15
20
25
50
75
100
125
150
175
A
v
er
age
F
orw
ard
Current
(A)
Case Temperature (°C)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
325
1
10
100
A
verage
Forward
Current
(A)
Number of Cycles at 60 HZ
Fig. 5 – Typical Junction Capacitance
Fig. 1 – Forward Derating Curve
Fig. 2 – Maximum Non-Repetitive
Peak Forward Surge Current
350
10,000
TJ = 175°C
TJ = 125°C
TJ = 75°C
TJ = 25°C
MBRF
MBR, MBRB
MBRF
MBR, MBRB
TJ = 175°C
TJ = 25°C
TJ = 75°C
TJ = 125°C
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MBRB20H35CTHE3/81 功能描述:肖特基二極管與整流器 20 Amp 35 Volt Dual 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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