參數(shù)資料
型號： MBRB2045CT-E3/31
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 整流器
英文描述： 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 146K
代理商： MBRB2045CT-E3/31
Document Number 88674
22-Aug-06
www.vishay.com
3
MBR(F,B)2035CT thru MBR(F,B)2060CT
Vishay General Semiconductor
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
50
10
1.0
0.1
0.01
MBR2035CT - MBR2045CT
MBR2050CT & MBR2060CT
0
0.2
0.1
1.0 1.1 1.2
0.4
0.3
0.6 0.7 0.8
0.5
0.9
Tj = 150 °C
Tj = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
1.0
10
50
0.01
0.001
0.1
MBR2035CT - MBR2045CT
MBR2050CT & MBR2060CT
20
0
100
40
60
80
Tj = 125 °C
Tj = 25 °C
Tj = 75 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
10
1
100
1000
4000
100
0.1
MBR2035CT - MBR2045CT
MBR2050CT & MBR2060CT
Tj = 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig = 50 mVp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
0.01
10
1
100
10
100
0.1
1
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBRB2060CT SILICON, RECTIFIER DIODE
MBR2060CT-1 SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
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MBR2550CT 15 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBRB3035CT-1 15 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
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參數(shù)描述
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MBRB2045CTHE3/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 45 Volt 20A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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MBRB2045CTHE45 制造商:KERSEMI 制造商全稱:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Guardring for overvoltage protection
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