參數(shù)資料
型號(hào)： MBRB1035TRL
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTI, SMD-220, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 157K
代理商： MBRB1035TRL
MBR10.. Series, MBRB10.. Series
Bulletin PD-2.317 rev. F 07/03
3
www.irf.com
Fig. 2 - Typical Values Of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
Fig. 4 - Max. Thermal Impedance Z
thJC Characteristics
Fig. 1 - Max. Forward Voltage Drop Characteristics
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
R
100°C
75°C
50°C
25°C
R
e
ve
rs
e
C
u
rr
e
n
t-
I
(
m
A
)
Reverse Voltage - V (V)
T = 150°C
J
125°C
100
1000
0
1020304050
R
T
Ju
n
c
tio
n
C
a
pac
itan
c
e
-
C
(
p
F)
Reverse Voltage - V (V)
T = 25°C
J
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
th
JC
t , Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Single Pulse
(Thermal Resistance)
1
Th
e
rm
a
lI
m
p
e
d
a
n
c
e
Z
(°
C
/W
)
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
1
2
J
thJC
C
DM
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
2
t
1
t
P
DM
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
F
FM
T = 150°C
T = 125°C
T = 25°C
J
Forward Voltage Drop - V
(V)
In
st
a
n
ta
n
e
o
u
sF
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t
-I
(A
)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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