參數(shù)資料
型號： MBR40H35CT-E3
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 整流器
英文描述： 20 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： MBR40H35CT-E3
0.1
0.3
0.2
0.4
0.6
0.8
0.5
0.7
100
10
0.1
1
0.1
1
10
100
1,000
10,000
0.01
1
10
100
10
0.1
1
Fig. 3 – Typical Instantaneous
Forward Characteristics Per Leg
Instantaneous
Reverse
Current
(
A)
Junction
Capacitance
(pF)
1
10
100
1000
10000
0.1
Fig. 5 – Typical Junction Capacitance
Per Leg
Reverse Voltage (V)
20
30
50
70
100
40
60
80
90
Fig. 4 – Typical Reverse Leakage
Characteristics Per Leg
Fig. 6 – Typical Transient
Thermal Impedance Per Leg
t -- Pulse Duration (sec.)
Instantaneous Forward Voltage (V)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneous
Forward
Current
(A)
T
ransient
Thermal
Impedance
(
°C/W)
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
175
Fig. 1 – Forward Current
Derating Curve
A
v
er
age
F
orw
ard
Current
(A)
Case Temperature (
°C)
0
50
400
300
250
200
150
100
1
10
100
Fig. 2 – Maximum Non-Repetitive
Peak Forward Surge Current Per Leg
Peak
F
orw
ard
Surge
Current
(A)
Number of Cycles at 60 HZ
200
350
0
100,000
1,000,000
0.9
TJ = 175
°C
TJ = 125
°C
TJ = 25
°C
TJ = 175
°C
TJ = 125
°C
TJ = 25
°C
MBR40H35-45CT
MBR40H50-60CT
MBR40H35-45CT
MBR40H50-60CT
MBR40H35-45CT
MBR40H50-60CT
MBR40H35-45CT
MBR40H50-60CT
MBR40H35-45CT
MBR40H50-60CT
MBR40H35-45CT
MBR40H50-60CT
MBR40H35CT thru MBR40H60CT
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
Document Number 88920
www.vishay.com
14-Jul-04
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBR40H45CT-E3 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR6040PT 40 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBR6020PT 40 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBR6080PT 40 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBR7100 7.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
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參數(shù)描述
MBR40H35CT-E3/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 35 Volt 40A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR40H35PT 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Schottky Barrier Rectifier
MBR40H35PT-E3/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 40 Amp 35 Volt Dual 400 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR40H45CT 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Schottky Barrier Rectifiers
MBR40H45CT-E3/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 45 Volt 40A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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