參數(shù)資料
型號： MBR1535CT-1PBF
元件分類： 整流器
英文描述： 7.5 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 273K
代理商： MBR1535CT-1PBF
MBR15..CT, MBRB15..CT, MBR15..CT-1
Bulletin PD-2.318 rev. D 05/04
2
www.irf.com
VR
Max. DC Reverse Voltage (V)
VRWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
T
J
Max. Junction Temperature Range
-65 to 150
°C
T
stg
Max. Storage Temperature Range
-65 to 175
°C
R
thJC Max. Thermal Resistance Junction
3.0
°C/W DC operation
to Case
(Per Leg)
R
thCS Typical Thermal Resistance, Case
0.50
°C/W Mounting surface, smooth and greased
to Heatsink
R
thJA Max. Thermal Resistance Junction
60
°C/W DC operation
wt
Approximate Weight
2 (0.07)
g (oz.)
T
Mounting Torque
Min.
6 (5)
Max.
12 (10)
Device Marking
MBR15..CT
Case style TO-220
MBRB15..CT
Case style D2Pak
MBR15..CT-1
Case style TO-262
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
Value
Units
Conditions
Kg-cm
(Ibf-in)
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
0.84
V
@ 15A
(1)
0.57
V
@ 7.5A
0.72
V
@ 15A
I
RM
Max. Instantaneus Reverse Current
0.1
mA
T
J =
25 °C
(1)
15
mA
TJ = 125 °C
C
T
Max. Junction Capacitance
400
pF
V
R = 5VDC (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25°C
LS
Typical Series Inductance
8.0
nH
Measured from top of terminal to mounting plane
dv/dt Max. Voltage Rate of Change
10000
V/ s
(Rated V
R)
Electrical Specifications
Parameters
Value
Units
Conditions
T
J = 125 °C
T
J =
25 °C
Rated DC voltage
(1) Pulse Width < 300s, Duty Cycle <2%
I
F(AV) Max.Aver.ForwardCurrent(PerLeg)
7.5
(Per Device)
15
I
FSM
Max.PeakOne Cycle Non Repetitive
690
5s Sineor3sRect.pulse
Surge applied at rated load condition halfwave single
phase 60Hz
E
AS
Non-Repetitive Avalanche Energy
7
mJ
(Per Leg) T
J = 25 °C, IAS = 2 Amps, L = 3.5 mH
I
AR
Repetitive Avalanche Current
2
A
Current decaying linearly to zero in 1 sec
(Per Leg)
Frequency limited by T
J max. VA = 1.5 x VR typical
Absolute Maximum Ratings
Parameters
Value
Units
Conditions
150
A
Surge
@ T
C = 131 °C (Rated VR)
A
Following any rated load
condition and with rated
VRRM applied
Voltage Ratings
Parameters
MBR1535CT
MBR1545CT
MBRB1535CT
MBRB1545CT
MBR1535CT-1
MBR1545CT-1
35
45
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBRB1535CTTRRPBF 7.5 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBR1545CT-1 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
MBR1545CTPG 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR1645TRRPBF 16 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
MBRB1645TRLPBF 16 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBR1535CT-E3/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 15 Amp 35 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR1535CTG 功能描述:肖特基二極管與整流器 15A 35V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR1535CTG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER, CMN CTHD, 15A TO-220
MBR1535CTHE3/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 35 Volt 15A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR1535CTPBF 功能描述:DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2
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