| 型號: | MBR120HW-G-T3 |
| 廠商: | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類: | 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率) |
| 英文描述: | 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝: | GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 205K |
| 代理商: | MBR120HW-G-T3 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA4P7436-1141T | SILICON, PIN DIODE |
| MAZA100 | 10 V, 0.1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MLL4132DTR | 82 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| MQSMBG5913CE3TR | 3.3 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
| MQSMBG5929E3TR | 15 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBR120LSFT1 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A 20V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| MBR120LSFT1_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Surface Mount Schottky Power Rectifier |
| MBR120LSFT1G | 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A 20V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| MBR120LSFT3 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A 20V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| MBR120LSFT3G | 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A 20V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |