參數(shù)資料
型號： MBR1060CTF-G1
廠商： BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD
元件分類： 整流器
英文描述： 5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： GREEN, PLASTIC, TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大小： 777K
代理商： MBR1060CTF-G1
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
MBR1060C
4
BCD Semiconductor Manufacturing Limited
Mar. 2011 Rev. 1. 3
Data Sheet
Parameter
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
60
V
Average Rectified Forward Current
(Rated VR) TC=140oC
IF (AV)
5A
Peak Repetitive Forward Current
(Rated VR, Square Wave, 20kHz) TC=139oC
IFRM
10
A
Non Repetitive Peak Surge Current (Surge Applied at Rated
Load Conditions Half Wave, Single Phase, 60Hz)
IFSM
100
A
Operating Junction Temperature (Note 2)
TJ
150
oC
Storage Temperature Range
TSTG
-55 to 150
oC
Voltage Rate of Change (Rated VR)
dv/dt
10000
V/
s
ESD (Machine Model=C)
>400
V
ESD (Human Body Model=3B)
>8000
V
Note 1: Stresses greater than those listed under "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device.
These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated
under "Recommended Operating Conditions" is not implied. Exposure to "Absolute Maximum Ratings" for extended periods
may affect device reliability.
Note 2: The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction to Ambient: dPD/dTJ<1/θJA.
Absolute Maximum Ratings (Each Diode Leg) (Note 1)
Parameter
Symbol
Condition
Value
Unit
Maximum Thermal Resistance
θJC
Junction to Case
TO-220-3/
TO-220-3 (2)
3.0
oC/W
TO-220F-3
3.5
θJA
Junction to Ambient
TO-220-3/
TO-220-3 (2)
60
TO-220F-3
60
Thermal Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBR20100CT-BP 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR2030CT-BP 20 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR2020CT-BP 20 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR2035CT-BP 20 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR2020FCT-BP 20 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBR1060CT-G1 制造商:BCDSEMI 制造商全稱:BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
MBR1060CTL 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:600mV @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 60V 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
MBR1060CT-LJ 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER TO220AB TUBE 50PCS - Rail/Tube 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:DIODE SCHOTTKY TO-220AB
MBR1060CTP 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 60V 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
MBR1060DC 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:D2PAK SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
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