參數(shù)資料
型號(hào)： MBR0530T3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Surface Mount Schottky Barrier Power Rectifier(0.5A,30V表貼型肖特基勢(shì)壘功率整流器)
中文描述： 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 60K
代理商： MBR0530T3
MBR0530T1, MBR0530T3
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Rating
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance — Junction to Ambient (Note 1.)
R
θ
JA
206
°
C/W
Thermal Resistance — Junction to Lead
R
θ
JL
150
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2.)
(i
F
= 0.1 Amps, T
J
= 25
°
C)
(i
F
= 0.5 Amps, T
J
= 25
°
C)
v
F
0.375
0.43
Volts
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 2.)
(Rated dc Voltage, T
C
= 25
°
C)
(V
R
= 15 V, T
C
= 25
°
C)
1. 1 inch square pad size (1 x 0.5 inch for each lead) on FR4 board.
2. Pulse Test: Pulse Width = 300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%.
I
R
130
20
μ
A
1
0.1
0.010.15
v
F
, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Typical Forward Voltage
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0.55
i
10
4
1000
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Typical Reverse Current
5
10
15
20
30
35
40
25
100
10
1
0
T
J
= 125
°
C
75
°
C
25
°
C
-40
°
C
75
°
C
25
°
C
I
180
160
20
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Typical Capacitance
5
10
15
20
30
25
140
120
100
0
TYPICAL CAPACITANCE AT 0 V = 170 pF
C
40
60
80
T
J
= 125
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBR0540T1 Surface Mount Schottky Barrier Power Rectifier(0.5A,40V表貼型肖特基勢(shì)壘功率整流器)
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MBR1045 Schottky Barrier Power Rectifier(10A,45V肖特基勢(shì)壘功率整流器)
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參數(shù)描述
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MBR0530-TP 功能描述:肖特基二極管與整流器 .5A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR0530W 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Schottky Rectifier Diodes
MBR053CT1 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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