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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM30LV0032 |
| 廠(chǎng)商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 32M (4M X 8) BIT NAND-type |
| 中文描述： | 32M的（4米× 8）位NAND型 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 24/43頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 397K |
| 代理商： | MBM30LV0032 |
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MBM30LV0064
24
01h
D
OUT
D
OUT
D
OUT
t
CLS
t
CLH
t
CS
t
CH
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
A
17
to
A
22
A
9
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A
16
A
0
to
A
7
t
ALH
t
WB
t
R
t
AR2
t
RC
t
RR
t
REA
256 + M 256 + M + 1
**: SE = GND input : D
OUT
527
= V
CC
input : D
OUT
511
Note: The CE signal must stay “Low” after the third address input and during Busy state.
Column address
M
**
CLE
CE
WE
ALE
I/O0
to I/O7
R/B
RE
: V
IH
or V
IL
Figure 16 Read Cycle (2) Timing Diagram
50h
D
OUT
D
OUT
D
OUT
t
CLS
t
CLH
t
CS
t
CH
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
A
17
to
A
22
A
9
to
A
16
A
0
to
A
7
t
ALH
t
WB
t
R
t
AR2
t
RC
t
RR
t
REA
512 + M 512 + M + 1
**: SE = GND input : D
OUT
527
= Do not input V
CC
Column address
M
**
CLE
CE
WE
ALE
I/O0
to I/O7
R/B
RE
: V
IH
or V
IL
527
Figure 17 Read Cycle (3) Timing Diagram
Note: The CE signal must stay “Low” after the third address input and during Busy state.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM30LV0032-PFTN | 32M (4M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0032-PFTR | RES 150-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 10K/REEL-7IN-PA |
| MBM30LV0064 | 64M (8M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0128 | RES 1.5K-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 10K/REEL-7IN-PA |
| MBM30LV0128-PFTN | 128 M (16 M X 8) BIT NAND-type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM30LV0032-PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (4M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0032-PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (4M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0064 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:64M (8M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0064-PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:64M (8M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0064-PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:64M (8M X 8) BIT NAND-type |
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