參數(shù)資料
型號: MB95F263KPF-G-SNE2
廠商: Fujitsu Semiconductor America Inc
文件頁數(shù): 41/87頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC MCU 8BIT 12KB FLASH 20SOP
標準包裝: 1,325
系列: 8FX MB95260H
核心處理器: F²MC-8FX
芯體尺寸: 8-位
速度: 16MHz
連通性: LIN,SIO,UART/USART
外圍設備: LVD,POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 16
程序存儲器容量: 12KB(12K x 8)
程序存儲器類型: 閃存
RAM 容量: 496 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 2.4 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉換器: A/D 6x8/10b
振蕩器型: 外部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬)
包裝: 托盤
其它名稱: 865-1210
dsPIC30F2010
DS70118J-page 50
2011 Microchip Technology Inc.
7.2
Erasing Data EEPROM
7.2.1
ERASING A BLOCK OF DATA
EEPROM
In order to erase a block of data EEPROM, the
NVMADRU and NVMADR registers must initially
point to the block of memory to be erased. Configure
NVMCON for erasing a block of data EEPROM, and
set the WR and WREN bits in NVMCON register.
Setting the WR bit initiates the erase, as shown in
EXAMPLE 7-2:
DATA EEPROM BLOCK ERASE
7.2.2
ERASING A WORD OF DATA
EEPROM
The NVMADRU and NVMADR registers must point
to the block. Select erase a block of data Flash,
and set the WR and WREN bits in NVMCON
register. Setting the WR bit initiates the erase, as
shown in Example 7-3.
EXAMPLE 7-3:
DATA EEPROM WORD ERASE
; Select data EEPROM block, ERASE, WREN bits
MOV
#4045,W0
MOV
W0,NVMCON
; Initialize NVMCON SFR
; Start erase cycle by setting WR after writing key sequence
DISI
#5
; Block all interrupts with priority <7
; for next 5 instructions
MOV
#0x55,W0
;
MOV
W0,NVMKEY
; Write the 0x55 key
MOV
#0xAA,W1
;
MOV
W1,NVMKEY
; Write the 0xAA key
BSET
NVMCON,#WR
; Initiate erase sequence
NOP
; Erase cycle will complete in 2mS. CPU is not stalled for the Data Erase Cycle
; User can poll WR bit, use NVMIF or Timer IRQ to determine erasure complete
; Select data EEPROM word, ERASE, WREN bits
MOV
#4044,W0
MOV
W0,NVMCON
; Start erase cycle by setting WR after writing key sequence
DISI
#5
; Block all interrupts with priority <7
; for next 5 instructions
MOV
#0x55,W0
;
MOV
W0,NVMKEY
; Write the 0x55 key
MOV
#0xAA,W1
;
MOV
W1,NVMKEY
; Write the 0xAA key
BSET
NVMCON,#WR
; Initiate erase sequence
NOP
; Erase cycle will complete in 2mS. CPU is not stalled for the Data Erase Cycle
; User can poll WR bit, use NVMIF or Timer IRQ to determine erasure complete
相關PDF資料
PDF描述
MB95F274KPF-G-SNE2 IC MCU 8BIT 20KB FLASH 8SOP
MB95F283KPF-G-SNE1 IC MCU 8BIT 12KB FLASH 16SOP
MB95F316EPMC-G-SNE2 IC MCU 8BIT 36KB FLASH 80LQFP
MB95F334HPMC-G-SNE2 IC MCU 8BIT 20KB FLASH 32LQFP
MB95F353EPF-G-SNE2 IC MCU 8BIT 12KB FLASH 24SOP
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MB95F264KPF-ES-SNE2 制造商:FUJITSU 功能描述:
MB95F264KPF-G-SNE2 功能描述:IC MCU 8BIT 20KB FLASH 20SOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:8FX MB95260H 標準包裝:250 系列:LPC11Uxx 核心處理器:ARM? Cortex?-M0 芯體尺寸:32-位 速度:50MHz 連通性:I²C,Microwire,SPI,SSI,SSP,UART/USART,USB 外圍設備:欠壓檢測/復位,POR,WDT 輸入/輸出數(shù):40 程序存儲器容量:96KB(96K x 8) 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:4K x 8 RAM 容量:10K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):1.8 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 其它名稱:568-9587
MB95F272KPF-G-SNE2 功能描述:IC MCU 8BIT 8KB FLASH 8SOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:8FX MB95270H 標準包裝:250 系列:LPC11Uxx 核心處理器:ARM? Cortex?-M0 芯體尺寸:32-位 速度:50MHz 連通性:I²C,Microwire,SPI,SSI,SSP,UART/USART,USB 外圍設備:欠壓檢測/復位,POR,WDT 輸入/輸出數(shù):40 程序存儲器容量:96KB(96K x 8) 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:4K x 8 RAM 容量:10K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):1.8 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 其它名稱:568-9587
MB95F273KPF-G-SNE2 功能描述:IC MCU 8BIT 12KB FLASH 8SOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:8FX MB95270H 標準包裝:250 系列:LPC11Uxx 核心處理器:ARM? Cortex?-M0 芯體尺寸:32-位 速度:50MHz 連通性:I²C,Microwire,SPI,SSI,SSP,UART/USART,USB 外圍設備:欠壓檢測/復位,POR,WDT 輸入/輸出數(shù):40 程序存儲器容量:96KB(96K x 8) 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:4K x 8 RAM 容量:10K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):1.8 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 其它名稱:568-9587
MB95F274KPF-G-SNE2 功能描述:IC MCU 8BIT 20KB FLASH 8SOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:8FX MB95270H 標準包裝:60 系列:BlueStreak ; LH7 核心處理器:ARM7 芯體尺寸:32-位 速度:84MHz 連通性:EBI/EMI,SPI,SSI,SSP,UART/USART 外圍設備:欠壓檢測/復位,DMA,LCD,POR,PWM,WDT 輸入/輸出數(shù):76 程序存儲器容量:- 程序存儲器類型:ROMless EEPROM 大小:- RAM 容量:32K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):1.7 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:144-LQFP 包裝:托盤