參數(shù)資料
型號： MB120L
廠商： LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 二極管(射頻、小信號、開關、功率)
英文描述： 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-216AA
封裝： PLASTIC PACKAGE-1
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 34K
代理商： MB120L
MB120L
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃
℃
℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60Hz,resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
SURFACE MOUNT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE
- 20 Volts
FORWARD CURRENT - 1.0 Ampere
SEMICONDUCTOR
LITE-ON
DO-216AA
A
B
H
K
J
C
G
I
G F
All Dimensions in millimeter
DO-216AA
DIM.
MIN.
MAX.
A
1.75
2.05
B
1.80
2.20
C
0.95
1.25
D
0.42
0.68
E
0.70
1.00
F
-0.05
+0.10
G
0.10
0.25
H
3.65
3.95
I
0.40
0.70
J
1.10
1.50
K
0.20
0.80
D
E
CATHODE
TAB 1
ANODE
TAB 2
FEATURES
Case
: JEDEC DO-216AA Molded plastic
Polarity : Cathode designated by TAB 1
Approx Weight : 0.016grams
Mounting position : Any
For surface mounted applications
Metal-Semiconductor junction with guardring
Epitaxial construction
Ultra low VF provides higher efficiency and extends battery life
Plastic material has UL flammability classification 94V-0
For use in portable and battery powered product
Typical applications are ac/ac and dc/dc converters, reverse
battery protection, and "Oring" of multiple supply voltage
MECHANICAL DATA
NOTE: 1.Pulse Test: Pulse Width = 300us , Duty Cycle = 2%
Maximum RMS voltage
Units
V
Maximum recurrent peak reverse voltage
Vrrm
Vrms
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current 8.3 ms single half-sine-wave
superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
( @ IF=0.1A )
( @ IF=1.0A )
( @ IF=3.0A )
Maximum instantaneous reverse current
( @ VR=20V )
( @ VR=10V )
Thermal resistance - Junction to Lead (Anode)
Thermal resistance - Junction to Tab (Cathode)
Thermal resistance - Junction to Ambient
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
VDC
IFSM
IR
TSTG
A
V
mA
-55 to +125
50
-55 to +150
Maximum DC blocking voltage
35
20
250
TJ
0.34
0.45
0.65
Characteristics
Symbol
℃/W
℃
20
14
20
MB120L
@TL=110℃
1.0
VF
I(AV)
Rtjl
Rttab
Rtja
@ TJ = 25℃
@ TJ = 85℃
0.26
0.415
0.67
0.4
0.1
@ TJ = 25℃
@ TJ = 85℃
25
18
REV. 0, 26-Dec-2001, KSHP04
相關PDF資料
PDF描述
MB2M-E3 0.5 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
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MB4S 0.5 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, TO-269AA
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