參數(shù)資料
型號： MAC16D
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： Silicon Bidirectional Thyristor(16A，400V三端雙向可控硅晶閘管)
中文描述： 400 V, 16 A, TRIAC, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： MAC16D
MAC16D, MAC16M, MAC16N
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance,
JunctiontoCase
JunctiontoAmbient
R
JC
R
JA
2.0
62.5
°
C/W
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8
″
from Case for 10 Seconds
T
L
260
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted; Electricals apply in both directions)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Peak Repetitive Blocking Current
(V
D
= Rated V
DRM
, V
RRM
; Gate Open)
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
I
DRM
,
I
RRM
0.01
2.0
mA
ON CHARACTERISTICS
Peak On-State Voltage (Note 2)
(I
TM
=
±
21 A Peak)
V
TM
1.2
1.6
V
Gate Trigger Current (Continuous dc) (V
D
= 12 V, R
L
= 100 )
MT2(+), G(+)
MT2(+), G()
MT2(), G()
I
GT
10
10
10
16
18
22
50
50
50
mA
Holding Current
(V
D
= 12 V, Gate Open, Initiating Current =
±
150 mA)
I
H
20
50
mA
Latching Current (V
D
= 24 V, I
G
= 50 mA)
MT2(+), G(+)
MT2(+), G()
MT2(), G()
I
L
33
36
33
50
80
50
mA
Gate Trigger Voltage (V
D
= 12 V, R
L
= 100 )
MT2(+), G(+)
MT2(+), G()
MT2(), G()
V
GT
0.5
0.5
0.5
0.75
0.72
0.82
1.5
1.5
1.5
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Rate of Change of Commutating Current, See Figure 10.
(V
D
= 400 V, I
TM
= 6.0 A, Commutating dv/dt = 24 V/ s,
Gate Open, T
J
= 125
°
C, f = 250 Hz, No Snubber)
C
L
= 10 F
L
L
= 40 mH
(di/dt)
c
9.0
A/ms
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage
(V
D
= Rated V
DRM
, Exponential Waveform,
Gate Open, T
J
= 125
°
C)
2. Indicates Pulse Test: Pulse Width
≤
2.0 ms, Duty Cycle
≤
2%.
dv/dt
500
V/ s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MAC16N Silicon Bidirectional Thyristor(16A，800V三端雙向可控硅晶閘管)
MAC210A10FP Isolated Triac Silicon Bidirectional Thyristor(10A，800V,三端雙向可控硅晶閘管)
MAC210A8FP Isolated Triac Silicon Bidirectional Thyristor(10A，600V,三端雙向可控硅晶閘管)
MAC210A10 Silicon Bidirectional Thyristor(10A，800V三端雙向可控硅晶閘管)
MAC210A8 Silicon Bidirectional Thyristor(10A，600V三端雙向可控硅晶閘管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MAC16DG 功能描述:雙向可控硅 雙向可控硅 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
MAC16HCD 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MAC16HCD_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
MAC16HCDG 功能描述:雙向可控硅 THY 16A 400V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
MAC16HCM 功能描述:雙向可控硅 THY 16A 600V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*