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參數(shù)資料
| 型號： | MA4X796 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI4-G1, SC-61, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | MA4X796 |
1
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA4X796
Silicon epitaxial planar type
For super-high speed switching circuit
For small current rectification
I
Features
Two MA3X787s in the same direction are contained in one package
Allowing to rectify under (I
F(AV)
= 100 mA) condition
Optimum for high-frequency rectification because of its short
reverse recovery time (t
rr
)
Low V
F
(forward rise voltage), with high rectification efficiency
Reverse voltage V
R
(DC value) = 50 V guaranteed
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
1 : Cathode 1
2 : Cathode 2
3 : Anode 2
4 : Anode 1
Mini Type Package (4-pin)
Marking Symbol: M4B
Internal Connection
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
F
C
t
V
R
= 50 V
I
F
= 100 mA
V
R
= 0 V, f
= 1 MHz
30
μ
A
Forward voltage (DC)
0.55
V
Terminal capacitance
25
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= I
R
= 100 mA
I
rr
= 10 mA, R
L
= 100
3
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 200 MHz
3. * : t
rr
measuring circuit
Bias Application Unit N-50BU
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
V
RRM
50
V
Repetitive peak reverse voltage
50
V
Peak forward
current
Single
Double
*2
I
FM
300
mA
200
Average forward
current
Single
Double
*2
I
F(AV)
100
mA
70
Non-repetitive peak forward
surge current
*1
I
FSM
1
A
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Note) *1: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave
(non-repetitive)
*2: Value per chip
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
10 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
4
3
1
2
2.8
+
0.2
0.3
1.5
+
0.25
0.05
0.65
±
0.15
0.65
±
0.15
0.5 R
1
2
4
3
0
0
1
±
0
0
+
0
0
1
+
0
0
0
0.4
±
0.2
0
0
+
0
0
0
+
0
0
0
0
+
0
0
1
0.1 to 0.3
0
2
+
0
0
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